Металлический затвор

Cтраница 4

ПЗС структура с трехшинным управлением.| ПЗС структура сдвигового регистра с двухшинным управлением. [46]

В качестве диэлектрика обычно используется окисел полупроводникового материала, поэтому тонкий слой под затвором получил название тонкого окисла. Для уменьшения порогового напряжения вместо металлического затвора применен поликристаллический полупроводниковый затвор. Комплекс таких конструктивно-технологических решений расширяет диапазон рабочих частот полупроводниковых ИС на МДП транзисторах до 20 МГц и более. [47]

Совместимость п - и р-канальных матриц с биполярными логическими ИС является одним из важнейших свойств матриц ОЗУ. Применение низкопороговых канальных транзисторов с кремниевыми и металлическими затворами позволяет получить полную совместимость по входным и выходным уровням транзисторно-транзисторных схем на биполярных транзисторах. Матрицы ОЗУ на биполярных транзисторах, вероятно, не будут иметь конкуренции по сверхвысокому быстродействию с матрицами на канальных униполярных транзисторах. Они полностью совместимы с логическими ИС на биполярных транзисторах и имеют большую степень интеграции элементов. В матрице на биполярных транзисторах в качестве запоминающих элементов используются триггеры на логических ИС транзисторно-транзисторного типа или переключателях тока. Последние обладают более высоким быстродействием вследствие высокой скорости работы базового логического элемента триггера. Повышение скорости работы транзисторно-транзисторных логических элементов требует введения новых компонентов ( например, диодов Шоттки) для устранения насыщения транзисторов. Применение переключателей токов позволяет получить наименьшие плотности упаковки элементов при большем быстродействии. [48]

Совместимость - матриц п - и р-типов с биполярными логическими схемами является одним из важнейших показателей матриц ОЗУ. Применение низкопороговых канальных транзисторов с кремневыми и металлическими затворами позволяет получить их полную совместимость по входным и выходным уровням транзисторно-транзисторных схем на биполярных транзисторах. [49]

Схема высокочастотного источника света. А - кварцевая труба, В - отверстие 1 мм. С - камера дифференциальной откачки. F - фланец, G - стеклянный капилляр диаметром 0 о мм и длиной 40 мм, М - микроволновая камера, N - вентиль, S - металлический затвор, Р - манометр Пирани. [50]

На рис. 1.40 доказана схема для получения такого разряда. Кварцевая трубка диаметром 8 мм имеет металлический затвор, в котором сделано отверстие диаметром 1 мм. [51]

Страницы: 1 2 3 4