Металлический затвор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Закон Сигера: все, что в скобках, может быть проигнорировано. Законы Мерфи (еще...)

Металлический затвор

Cтраница 3


31 Совмещенное водозаборное устройство крупной оросительной насосной станции. [31]

Водозаборные устройства ( рис. 242) оборудованы вертикальной сороудер-живающей решеткой, имеющей свой паз, и эксплуатационным плоским металлическим затвором 7, устанавливаемым у входа во всасывающую трубу насоса. Такое устройство пазовых конструкций надежно в эксплуатации. Управление решеткой и затвором осуществляется при помощи козлового крана 1, который передвигается вдоль фронта водозабора. При необходимости в паз решетки могут быть установлены ремонтные затворы. Дно и откосы канала по условиям фильтрации укреплены железобетонными плитами по гравийной подготовке. Уклон дна канала положительный, а уклон бермы обратный уклону дна канала для отвода ливневых вод. Одна берма уширена, и по ней осуществляется подъезд к станции.  [32]

33 Разновидности полевых транзисторов. Знаками и - указаны нормальные полярности питающих напряжений затвора ( числитель и стока ( знаменатель относительно истока.| Структуры полевых транзисторов с р-п переходами. [33]

Шоттки; / - канал; 2 - обедненный слой; у полупроводниковый затвор; 4 - металлический затвор; и-исток; С - сток; 3 - затвор.  [34]

35 Выходные характе - [ IMAGE ] Тонкошмночный МДП-ристики МДП-транзистора со транзистор встроенным каналом я-типа. [35]

Изменяя постоянное напряжение на подложке, можно менять начальную ширину канала, а следовательно, сдвигать величину напряжения отсечки металлического затвора. Обычно влияние подложки невелико, так как п р, и при изменении напряжения на подложке в основном меняется ширина области объемного заряда в самой подложке. В типичных конструкциях МДП-транзисторов подложка всегда соединена с истоком.  [36]

Полевой транзистор структуры металл-диэлектрик - полупроводник ( МДП-транзистор, МОП-транзистор или транзистор с изолированным затвором) представляет собой прибор, в котором металлический затвор электрически изолирован слоем диэлектрика от канала, образованного на поверхности полупроводника.  [37]

Контроль тока в полевом транзисторе можно осуществлять не только с помощью затвора из полупроводника другого типа, как это было описано, но и с помощью подобранного соответствующим образом металлического затвора, изолированного от канала. В качестве изолирующего слоя используются оксиды. Такие транзисторы называются металлоок-сидными полевыми транзисторами. Принцип их работы аналогичен описанному выше.  [38]

39 Условные графические обозначения полевых транзисторов. [39]

Подложка транзистора с индуцированным каналом представляет собой высокоомный, слаболегированный кремний с электропроводностью л-типа, а сток и исток - сильнолегированные области с электропроводностью р-типа. Металлический затвор отделен от кристалла тонким слоем изолятора. Пока на затвор не подано отрицательное напряжение относительно истока, выходной ток при Е2 0 близок к нулю. Действительно, независимо от полярности приложенного между стоком и истоком напряжения, один из р-п-переходов ( исток - подложка, или подложка - сток) окажется запертым и выходной ток будет определяться обратным током запертого перехода и током утечки.  [40]

Поскольку зависимость толщины обедненного слоя от напряжения смещения для диода Шоттки совпадает с аналогичной зависимостью для резкого р - га-перехода, то принцип действия прибора не отличается от принципа действия полевого транзистора с управляющим р-я-переходом. Применение металлического затвора вместо р - - перехода позволяет существенно уменьшить размеры структуры.  [41]

Принцип действия ГМЕП-транзистора аналогичен принципу действия МЕП-транзистора. Между металлическим затвором и расположенным под ним слоем арсенида галлия-алюминия образуется управляющий переход металл - полупроводник. Обедненная область этого перехода в основном располагается в слоях арсенида галлия-алюминия.  [42]

43 Схема включения поле-вого транзистора с общим затвором ( а и с общим стоком ( б. [43]

Дальнейшим развитием полевых транзисторов являются транзисторы с изолированным затвором. У них металлический затвор отделен от полупроводникового канала тонким слоем диэлектрика.  [44]

Следует отметить, что типовая дыхательная арматура, в комплект которой входят дыхательные клапаны КД и СМДК, предохранительные клапаны КПС, ПСК или аналогичные им конструкции, имеет недостаточно высокую пропускную способность. В осенне-зимний период металлические затворы ( тарелки и седла) дыхательных клапанов смерзаются, из-за чего резервуары приходится разгерметизировать ( снимать тарелки клапанов, открывать световые-люки), что приводит к резкому увеличению потерь от вентиляции газового пространства резервуара.  [45]



Страницы:      1    2    3    4