Протекание - обратный ток
Cтраница 1
 |
Контакт двух одинаковых по химической природе полупроводников. [1] |
Протекание обратного тока по валентной зоне сопровождается исчезновением собственных атомов в р-области и дырок в л-области. [2]
 |
Процессы у анода в Электроны, покидающие. [3] |
Длительность протекания обратного тока с повышением обратного напряжения, как видно из семейства кривых на рис. 3 - 33, а, уменьшается. Это обусловлено увеличением доли зарядов, уходящих из распадающейся плазмы к электродам. [4]
Результатом протекания обратного тока через лампы является снижение полезной мощности и крутизны фазочувствительного каскада. Для ослабления этого явления лампы используют в таком режиме, чтобы электроды сильно не нагревались. Другим средством является увеличение сопротивления утечки сеток каскада. Имеются и другие, более эффективные меры борьбы с обратным током ( например, включение диодов в аноды ламп), но они еще редко используются в приборах массового применения. [5]
Механизм протекания обратного тока через переход относительно прост и не требует специального более подробного рассмотрения. Носители заряда, являющиеся неосновными для одной из областей, дрейфуя в электрическом поле области объемного заряда, попадают в область, где они являются уже основными носителями. Так как концентрация основных носителей обычно существенно превышает концентрацию неосновных носителей в соседней области ( пп пр и р-р рп), то появление в той или иной области полупроводника незначительного дополнительного количества основных носителей заряда практически не изменяет равновесного состояния полупроводника. [6]
При протекании обратного тока в р - - переходе выделяется тепло и его температура повышается. [7]
 |
Вентильный блок ВБ-50 для подключения кабеля к системе совместной. [8] |
При протекании обратного тока может быть поврежден кабель связи. [9]
 |
Схемы выпрямления и схемы соединений вентилей. [10] |
При протекании обратного тока вследствие захвата электронов положительными ионами примеси происходит частичная нейтрализация объемного положительного заряда вблизи поверхности раздела полупроводника и металла, вызывающая соответствующее уменьшение и отрицательного заряда на противоположной стороне контакта. [11]
 |
Схема диода и вид распределения равновесных концентраций носителей заряда в р - и и-областях ( а. распределение дырок в различные моменты после переключения ( б. [12] |
По мере протекания обратного тока количество избыточных дырок в базе уменьшается как за счет их вытягивания в р-область, так и вследствие непрекращающегося процесса рекомбинации с электронами. [13]
Так как продолжительность протекания обратного тока ванны раз в 5 - 10 меньше времени прямого тока, то продолжительность пребывания под током обмотки электромагнита также составляет / 5 - / ю времени работы автомата. [14]
Это расстояние называют эквивалентной глубиной протекания обратного тока. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5