Протекание - обратный ток
Cтраница 3
После гашения дуги концентрация ионов в разрядном промежутке быстро уменьшается вследствие протекания обратного тока и процессов рекомбинации. [31]
 |
Вольт-амперные характеристики кремниевого диода Д211 при различных температурах окружающей среды. [32] |
У кремниевых диодов с контролируемым лавинообразованием величина допустимой импульсной мощности рассеяния при протекании обратного тока обычно на несколько порядков больше, чем у обычных кремниевых диодов, пробой которых происходит в местах выхода / 7-я-перехода на поверхность кристалла. [33]
Спустя время A i после прохождения тока / в через нуль ( время протекания обратного тока) тиристор выдерживает полное обратное напряжение [ / об, а спустя время tB к тиристору уже может быть приложено ( с определенной скоростью нарастания) прямое напряжение. Таким образом, время ts равно интервалу времени между моментом прохождения тока прибора через нуль и моментом, когда тиристор способен выдержать повторно приложенное прямое напряжение. [34]
 |
Структура симметричного тиристора ( а и его схематическое изображение ( б.| Вольт-амперная характеристика симистора. [35] |
Потери в тиристоре состоят из потерь при протекании прямого тока, потерь при протекании обратного тока, коммутационных потерь и потерь в цепи управления. Потери при протекании прямого и обратного токов рассчитываются так же, как в диодах. [36]
В случае, когда падение напряжения на полном сопротивлении в цепи базы за счет протекания обратного тока меньше порога открывания UQ эмиттерного перехода, можно считать, что эмиттерный ток равен нулю. [37]
Время TBOCCT определяется: процессами накопления и рассасывания избыточных носителей в различных областях диода при протекании обратного тока и зависит от схемы включения и способа изоляции. Диоды, включенные по схеме 1, используются как быстродействующие. Диоды, включенные по схемам 5 и 4, используются как накопительные. [38]
Тепловой пробой имеет место в случаях, когда не обеспечивается отвод тепла от перехода при протекании обратного тока. [39]
Исчезновение заряда Q происходит как за счет рекомбинации носителей заряда в / - и области, так и за счет протекания переходного обратного тока. Рассмотрим два крайних случая. [40]
 |
Схема зависимого управления при параллельном соединении тиристоров.| Схема запирания тиристора прерыванием анодного тока.| Схемы запирания тиристора при подаче положительного импульса. [41] |
Если невозможно использовать рассмотренные схемы запирания тиристора, применяют принудительную коммутацию, которая позволяет подать на анод тиристора от какого-либо источника питания импульс отрицательной полярности, обеспечивающий протекание обратного тока, превышающего прямой. [42]
Неосновные носители ( дырки в n - области и электроны в р-области) втягиваются электрическим полем в р-п переход, проходят через него в соседнюю область - происходит экстракция носителей заряда, сопровождается протеканием обратного тока / ОБР через р-п переход. [43]
Автоматы или плавкие предохранители в цепи постоянного тока, которые отключают выпрямитель при коротком замыкании в цепи нагрузки или при пробое вентиля, отключают выпрямитель от цепи нагрузки или от параллельных преобразователей, предотвращая протекание обратных токов. [44]
Обратный ток в ЭХГ может возникнуть в случае появления более высокого напряжения на источнике, работающем параллельно. При протекании обратного тока ЭХГ переходит в режим потребителя с выделением электролизных газов. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5