Протекание - обратный ток
Cтраница 4
Аналогичные операции можно осуществлять и электрическим способом, как это показано на фиг. Последний предотвращает протекание обратного тока управления после того, как анодное напряжение повысится. Поэтому включенное состояние ПУПВ сохраняется после того, как снимается управляющий сигнал. Чтобы выключить ПУПВ, к управляющему электроду yflBi прикладывается положительный импульс. [46]
При зависимых схемах ( рис. 61, а и б) цепь зажигателя присоединена к главной цепи игнитрона / и содержит вспомогательный маломощный вентиль 2 - газотрон ( зажигающий вентиль), пропускающий ток только в часть периода, когда рабочее напряжение е2 на главном аноде положительно. Зажигающий вентиль предотвращает протекание обратного тока через зажигатель. [47]
Если не принимать специальных мер, то р-п-р-п структура с обоими зашунтированными эмиттерными переходами не должна иметь время выключения меньше, чем обычная р-п-р-п структура, к тому же она выключается при малом ( около 1 - 2 В) обратном напряжении. Кроме того, протекание обратного тока выключения через прямосмещенную р-п структуру, вызывающее ин-жекцию дырок в n - базу, требует принятия специальных мер, чтобы избежать накопления дополнительного заряда в соседней р-п-р-п структуре. Однако рассматриваемая структура имеет положительные стороны: уменьшение индуктивности связи, имеющей место при схемном встречно-параллельном соединении диодной и тиристор-ных структур, что в конечном итоге приводит к схемному уменьшению времени выключения, и дополнительную возможность уменьшения времени выключения. [48]
Сопротивления, включаемые в контур обратного тока, должны иметь минимально возможную индуктивность. В противном случае в момент начала протекания обратного тока возникают значительные перенапряжения, прикладываемые к запертым в это время тиристорам. [49]
С-цепочки, должны подбираться таким образом, чтобы обеспечить минимальные перенапряжения на вентиле при его коммутации. Энергия, накопленная в индуктивностях благодаря протеканию обратных токов вентилей, будет рассеиваться на активном сопротивлении RC-цепочки. [50]
Среднее напряжение на нагрузке при подаче входного сигнала определяется средним током коллектора открытого транзистора. При отсутствии входного сигнала напряжение на нагрузке создается от протекания обратного тока коллектора / кво, который у разных типов транзисторов может быть различным. [51]
 |
Схемы замещения заземлений опор питающих линий. [52] |
Непрерывный групповой заземлитель снижает максимальный потенциал рельсов при наличии приварных стыковых рельсовых соединений на 35 - 45 %, а эквивалентное сопротивление системы контактный провод - рельсы на 20 - 25 % при использовании провода А-70. Кроме того, непрерывный групповой заземлитель обеспечивает гарантированный путь протекания обратного тока и тем самым автоматически заменяет отсутствующие на передвижных путях электрические стыковые соединители. [53]
Заметим, что в действительности послеинжекционная ЭДС на диоде падает до нуля несколько раньше, чем концентрация дырок в n - базе на границе с р - п переходом достигает равновесного значения. Обусловлено это падением напряжения на n - базе U впн из-за протекания обратного тока. [54]
Наличие инжектированных неосновных носителей зарядов в объеме полупроводника при протекании прямого тока обусловливает особенности процессов, происходящих в р-п-переходе при быстром изменении прямого напряжения на обратное. Инжектированные носители рекомбинируют не сразу и изменение знака напряженности поля вызывает протекание обратного тока этих носителей. Вследствие высокой проводимости р-п-пере-хода, насыщенного в это время носителями зарядов, начальное значение обратного тока оказывается значительно большим тока насыщения. Процесс снижения его до величины нормального обратного тока ( и, следовательно, восстановления сопротивления перехода) длится некоторое время, необходимое для рассасывания объемного инжектированного заряда вследствие рекомбинации и возврата носителей через переход. [55]
Обратная ветвь вольт-амперной характеристики тиристора при разомкнутой цепи управляющего электрода ничем не отличается от аналогичной ветви силового диода и также характеризуется пробивным напряжением Un. Аналогично лавинным диодам выпускаются лавинные тиристоры, которые способны рассеивать большую, чем обычные управляемые вентили, мощность при протекании обратного тока. [56]
 |
Схема каскада с общим истоком.| Схема входного каскада осциллографа С1 - 68. [57] |
Диоды Д5, Д6 осуществляют температурную стабилизацию коллекторного тока транзистора ТЗ. Потенциометр R3 позволяет устанавливать нулевой потенциал на входе осциллографа, компенсируя падение напряжения на сопротивлении утечки R1, возникающее в результате протекания обратного тока затвора. Делитель из резистора R2 и терморезистора R4 компенсирует изменение напряжения смещения из-за температурного изменения этого тока. Потенциометр R13 позволяет уравнять токи транзисторов Т1 и Т2 при значительном их разбросе. [58]
 |
Вольт-амперная характеристика р - п-перехода. [59] |
Различают электрический и тепловой пробой. Тепловой пробой ( ветвь б на рис. 1.6) возникает в связи сростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между рассеиваемой теплотой и теплотой, выделяемой в переходе при протекании обратного тока. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5