Cтраница 2
Воздействие на профиль линии определяется суммой всех соударений, имеющих вероятностное распределение. Рисунок 2.5 наглядно показывает эту ситуацию, когда каждое отдельное соударение вызывает фазовый сдвиг, меньший одного радиана, однако суммарное изменение фазы в волновом цуге составляет примерно 4 радиана. [16]
При этом профиль линии получился у него строго дисперсионным. [17]
Фурье форму профиля линии. Ситуация здесь аналогична случаю почти идеальной плазмы, когда в пределах сферы дебаевского радиуса находится много частиц. [18]
Метод анализа профиля линии Уоррена - Авербаха удобен при исследовании следующих объектов: деформированных порошковых материалов, частички которых представляют собой маленькие крис-сталлики размером г - Ю-5 - 10-в см; кристаллов, содержащих достаточно четкие границы между отдельными их частями размером примерно г0, внутри которых рентгеновские лучи рассеиваются когерентно; малых изолированных частиц второй фазы; тонких пленок с выявленной блочной структурой. [19]
![]() |
Уточнение гидродинамической сетки построением сетки диагоналей. [20] |
Вдалеке от профиля линии тока и эквипотенциали приближенно являются взаимно ортогональными прямыми. [21]
![]() |
Уширение РРЛ водорода в плазме в зависимости от номера. [22] |
При ударном уширении профиль линии 1 ( у) имеет лорент-цеву форму, уравнение (2.24), где Ai / и щ являются полной шириной линии по половине максимума и центральной частотой линии соответственно. [23]
Из наблюдений определяют профили линий и подбирают соответствующее распределение фпз. [24]
В плотной плазме профили линий определяются главным образом взаимодействием излучателей с окружающими частицами. Этот тип уширения, который обычно называют уширением под действием давления, можно подразделить на резонансное, вандерваальсово и штарковское. Первое обусловлено взаимодействием излучателей с атомами того же сорта, второе - с атомами другого сорта и последнее - взаимодействием с заряженными частицами. При концентрациях ионов и электронов, превышающих 1 %, преобладают дальнодействующие кулоновские силы и мы имеем дело только со штарковским уширением. [25]
Давно разработанная теория профиля линий спектров поглощения плазмы хорошо описывает экспериментальные результаты вплоть до плотностей порядка 1017 см-3. Но при очень высоких плотностях необходим систематический многочастичный подход, учитывающий коллективное поведение сильно коррелированной плазмы. Таким образом, изложенный в этой книге метод функций Грина для плотных кулоновских систем может служить подходящей отправной точкой для расчета спектроскопических свойств. [26]
Мы можем расчитать лорентцев профиль линии, рассматривая воздействие соударений на осциллятор с постоянной ампли тудой. [28]
![]() |
Спектры испускания ( а и поглощения ( б. [29] |
На рис. 8.11 показаны профили линий испускания и поглощения для покоящихся атомных ядер. Они смещены относительно друг друга на 2оя - Отсюда понятно, почему в этом случае испущенное у-излучение не может поглощаться тем же атомом: резонансное поглощение не наблюдается. Как и при переходах между состояниями в электронных оболочках атома, тепловое движение ядер приводит к доплеровскому уширению линий. [30]