Процент - выход - годная схема
Cтраница 1
 |
Полупроводниковая интегральная микросхема. а - структура. б - эквивалентная электрическая схема. [1] |
Процент выхода годных схем сильно зависит от числа операции, выполняемых при высоких температурах. Для изготовления биполярных интегральных схем требуется 10 высокотемпературных операций и 6 - f - 8 операций совмещения, а для МОП-схем - только две высокотемпературные операции и не более четырех операций совмещения. [2]
Снижение процента выхода годных схем при высокой степени интеграции можно частично предотвратить путем применения БИС с избирательными соединениями. В противоположность схемам, имеющим фиксированные соединения, такой тип БИС не требует 100 % - ной годности всех элементов схемы. Проверкой готового кристалла с некоторой избыточностью элементов устанавливаются наличие и координаты дефектных участков. По этим данным и имеющейся функциональной схеме БИС ищется такой рисунок межэлементных соединений, который дает нужное функционирование схемы без использования дефектных участков. Затем уже по найденному рисунку изготавливают соединения между элементами. Естественно, реализация БИС с избирательными соединениями весьма сложна. Она требует использования ЦВМ не только для поиска вариантов межсоединений, но и для непосредственного управления процессом их производства. [3]
Для повышения процента выхода годных схем в процессе проектирования топологии БИС необходимо не только решить указанные задачи при предельно высокой плотности упаковки микроэлементов на кристалле, но также учесть появление паразитных элементов, оказывающих влияние на электрические характеристики БИС. [4]
В зависимости от процента выхода годных схем меняется топология соединений, а следовательно, и конструкция БИС. В настоящее время наметилось несколько методов конструктивного и технологического решений многослойной разводки в полупроводниковых БИС, которые применимы для схем как на биполярных, так и на МДП-структурах. Рассмотрим основные из них. [5]
 |
Блок-схема алгоритма статистического анализа методом Монте-Карло. [6] |
Целью статистического анализа является определение процента выхода годных схем, соответствующих техническому заданию при данном конкретном разбросе параметров АХ. [7]
Одной из основных характеристик данного типа БИС является процент выхода годных схем, что связано в первую очередь с площадью кристалла. Если кристаллы обычных ИС имели размеры до 1 мм2 ( 1 0х 1 0 мм), то кристаллы БИС в настоящее время имеют размеры до 5 1 X 5 1 мм и более. В связи с тем, что выход годных ИС с увеличением размера кристалла уменьшается ( несмотря на совершенствование технологии), существует теоретический предел роста степени интеграции первого типа БИС. [8]
Статистические методы обработки позволяют по данным тест-измерений прогнозировать процент выхода годных схем на стадии контроля электрических характеристик структур на пластине. [9]
Приведенная на рис. 12.4 схема алгоритма предусматривает определение процента выхода годных схем. [10]
Расчет интегральной схемы заканчивается статистической оптимизацией по критерию процента выхода годных схем. [11]
Приведенная на рис. 12.4 схема алгоритма предусматривает определение процента выхода годных схем. [12]
При разработке топологии в качестве такого критерия, вероятно, можно выбрать процент выхода годных схем. Но использовать этот критерий при анализе воспроизводимости нельзя, поскольку при изготовлении схем различной степени сложности на одном предприятии, при одном технологическом процессе, на одном оборудовании, при том же самом обслуживающем персонале, то есть в условиях одного и того же технологического комплекса, выход годных схем будет различным. [13]
Заключительную стадию первого этапа расчета ИМС выполняют по статистическим критериям, например по проценту выхода годных схем. [14]
А Заключительная стадия первого этапа расчета ИМС выполняется по ста - тистическим критериям, например по проценту выхода годных схем. [15]
Страницы: 1 2 3