Процент - выход - годная схема
Cтраница 3
В задачу конструкторского проектирования входит разработка конструкторско-технологической документации, требуемой для изготовления и сборки БИС. Конструкторское проектирование является наиболее сложным, так как связано с технологией изготовления и должно учитывать все возможности и ограничения технологии, включая процент выхода годных схем. [31]
В заключение данного параграфа отметим, что рассмотренные способы 1 - 6 относятся к способам постановки не только задачи расчета параметров пассивных компонентов на этапе проектирования принципиальных электрических схем, но и задачи расчета структурных параметров при проектировании интегральных компонентов по заданным требованиям к электрическим параметрам. В отношении такой экстремальной задачи, как расчет тестовых норм, следует отметить, что ее решение преследует цель рассчитать такие нормы, при которых максимизируется процент выхода годных схем. В этих работах задачи расчета параметров компонентов и тестовых норм объединяются в одну общую задачу. Однако отмеченные выше недостатки способа 5 ограничивают возможности решения этой общей задачи только случаями простейших схем. Практически целесообразно раздельное решение этих двух задач. [32]
Простые транзисторно-транзисторные схемы характеризуются низкой помехоустойчивостью, малым коэффициентом разветвления по выходу, а также жесткими требованиями к параметрам элементов. Поэтому по мере совершенствования технологии изготовления полупроводниковых интегральных схем были разработаны и получили широкое применение логические схемы со сложным инвертором, использование которого позволяет в значительной мере устранить указанные недостатки, а следовательно, повысить процент выхода годных схем. [33]
Выбор метода очистки зависит от природы подложки, вида загрязнения и степени требуемой чистоты поверхности. Чистота поверхности - это не постоянный, а переменный критерий, зависящий от требований, предъявляемых к микросхеме. Основным критерием чистоты поверхности подложки является процент выхода годных схем, величина разброса по подложке поверхностного удельного сопротивления, количество коротких замыканий в композициях металл - диэлектрик - металл. [34]
 |
Пример оптимизируемой ТТЛ-схемы. [35] |
Иногда используется вероятностный критерий, при этом в качестве ЦФ выбирается вероятность р ( х) выполнения заданных условий работоспособности. Под р ( х) может подразумеваться также процент выхода годных схем, характеристики которых удовлетворяют техническому заданию при статистическом разбросе в пределах допусков параметров схемы с известными законами распределения вероятностей. Следовательно, в такой задаче функция р ( х) максимизируется. [36]
Использование статистических критериев при оптимизации ставит своей целью получение максимальной вероятности безотказной работы схемы. Наиболее простым и распространенным статистическим критерием оптимальности является процент выхода годных схем Р ( Х) или отношение числа годных схем к общему числу изготовленных схем. [37]
Толщина базы определяется температурой и временем диффузии, поэтому необходим тщательный контроль процесса. На современном уровне технологии процент брака, связанный с очень тонкой базой, достаточно высок. В МДП-транзиеторах глубина диффузии не столь критична, и процент выхода годных схем увеличивается. [38]
Кроме перечисленных особенностей для всех ИМС характерен разброс параметров элементов, который в свою очередь существенно усложняет процесс их проектирования. Поэтому в последнее время все большее внимание уделяют методам статистического расчета элементов ИМС, которые могут значительно уменьшить недостатки, присущие другим методам. Статистические методы расчета позволяют, оперируя законами распределения параметров элементов, определять законы распределения выходных параметров и предсказывать процент выхода годных схем. [39]
В случае проектирования ИС существенно меняется содержание задач этапа За. Здесь должны решаться прежде всего задачи размещения компонентов на полупроводниковой пластине и проведения межсоединений. От того, насколько успешно решены будут эти задачи, зависит общая площадь, занимаемая схемой в кристалле, а следовательно, и процент выхода годных схем, так как количество различного рода искажений структуры кристалла, приходящееся на единицу площади, при данной технологии постоянно. Следует отметить, что между параметрами компонентов, расположенных на одной пластине, существует заметная корреляционная связь, причем коэффициенты корреляции зависят от взаимного расположения компонентов. [40]
Программа моделирования случайных значений равномерно распределенной в интервале [ О, 1 ] величины, являющейся основой для получения законов распределения произвольного вида, имеется в составе общего программного обеспечения любой ЭВМ так же, как и программы получения законов нормального и экспоненциального видов. Каждый расчет эквивалентен как бы одному испытанию конкретной реальной схемы. Это испытание считается успешным, если все условия работоспособности удовлетворяются, и неудачным, если нарушено хотя бы одно условие работоспособности. Если из общего числа N назначенных испытаний М испытаний явились успешными, то отношение M / N с определеной точностью и характеризует искомую вероятность Р ( Х) получения годных схем или процент выхода годных схем. [41]
В данном случае появление отказа ИМС рассматривается как результат образования дефекта из-за сочетания большого числа мелких дефектов. При этом отмечается коррели-рованность показателей надежности и качества ИМС, в данном случае процента выхода годных схем. Очевидно, чем меньше микродефекты, тем выше надежность ИМС. Практически это означает, что для получения заданной надежности необходимо обеспечить требуемые показатели качества технологического процесса. Поэтому уровень контроля качества ИМС следует выбирать исходя из экономической целесообразности повышения надежности за счет снижения процента выхода годных схем при данном уровне производительности и качества технологического процесса. [42]
Страницы: 1 2 3