Процесс - диффузия - примесь
Cтраница 1
Процесс диффузии примесей происходит при температуре, близкой к температуре плавления полупроводника ( порядка 1300 С для кремния), причем для хорошей воспроизводимости результатов температура должна поддерживаться с точностью не ниже 2 С. [1]
 |
Схема устройства мощного. [2] |
После процесса диффузии примеси производится впла вление коллекторного электрода. Для этого кристалл с молибденовым шаблоном и соответствующим припоем помещается в угольный нагреватель. Перед оплавлением коллектора слой с электронной проводимостью может быть удален, что не сказывается на окончательных результатах. В вакуумной системе нагреватель доводится до температуры, большей температуры плавления системы алюминий - германий, и на слой германия с электронной проводимостью путем испарения наносится тонкая пленка алюминия - Вплавление этой пленки и коллекторного сплава ведется в течение нескольких минут и затем заготовка медленно охлаждается. Для получения хорошего контакта на поверхность алюминия путем испарения может быть нанесен слой серебра или другого металла, который легко смачивается припоем. [3]
 |
Температурные зависимости коэффициентов самодиффузии 14С и 30Si в кристаллах чистого ( кривые /, 4 и легированного азотом ( кривые 2, 3 карбида кремния. [4] |
Для понимания процессов диффузии примесей в карбиде кремния и научного обоснования технологии выращивания монокристаллов необходимо знать коэффициенты самодиффузии основных компонентов. [5]
Мерой интенсивности процесса диффузии примесей в полупроводнике является коэффициент диффузии. [6]
 |
Конструктивно-технологические разновидности транзисторов. [7] |
Легкость контроля процесса диффузии примесей и глубины их проникновения позволяет формировать очень тонкие базовые слои, которые необходимы для достижения высокого частотного предела работоспособности транзисторов. [8]
 |
Распределение примеси в полупроводнике при ионной имплантации.| Зависимость коэффициентов диффузии примеси от температуры. [9] |
Сильное влияние на процесс диффузии примеси оказывает также температурный режим диффузии. На рис. 5.6 приводится зависимость коэффициента диффузии в кремнии некоторых материалов, применяемых при изготовлении оптоэлектронных приборов, от температуры. [10]
Обычно в практике экспериментального исследования процессов диффузии примесей в твердых телах используют решения уравнения второго закона Фика для одномерного случая при определенных для конкретной физической задачи начальных и граничных условиях. Рассмотрим два из наиболее распространенных типа граничных условий и соответствующие им решения. [11]
IV отмечалось, что исследование процесса диффузии примеси в соединениях может позволить установить природу преобладающих дефектов. Для этого необходимо определить, как изменяется скорость самодиффузии или диффузии примесных атомов в кристаллах, изготовленных в разных условиях. [12]
Недостаток эпитаксиального метода заключается в наличии процессов диффузии примесей из одного эпитаксиального слоя в другой. [13]
Проведение длительных ( до 30 ч) процессов диффузии примесей для получения слоев, толщиной в единицы микрон, требует поддержания температуры в печах с точностью 1 С на уровне 1350 С. [14]
Это объясняется тем, что для протекания в расплаве процесса выравнивающей диффузии примесей, сосредоточенных у поверхности раздела, требуется определенное время. Достаточно полно выравнивающая диффузия осуществляется при сравнительно медленном перемещении фронта кристаллизации или при перемешивании жидкой фазы, например с помощью конвекции или электромагнитного поля. [15]
Страницы: 1 2 3