Процесс - диффузия - примесь
Cтраница 2
Получение р - - перехода методом диффузии может быть осуществлено, если подготовленное основание из полупроводника подвергнуть процессу диффузии примесей. [16]
Создание интегральных резисторов, представляющих собой тоцкий ( порядка 3 мкм) слой полупроводника, происходит по планарной технологии в процессе диффузии примеси в островки подложки или эпитаксиального слоя одновременно с формированием транзисторов и диодов в других островках подложки. Такие резисторы называют диффузионными. Изоляция диффузионных резисторов от других элементов и подложки осуществляется так же, как и в интегральных транзисторах - с помощью запертого р - / г-перехо-да. [17]
 |
Схема установки для окисления в сухом кислороде. [18] |
Схема установки для термического окисления кремния в кислороде показана на рис. 8.4. Установка состоит из печи сопротивления 5, применяемой обычно для проведения процесса диффузии примеси. В рабочий канал печи помещают реактор 4, выполненный из оптического плавленого кварца. В подающую магистраль включены вентили-натекатели для регулирования расхода кислорода и ротаметр для измерения его расхода. Скорость потока газа составляет обычно несколько десятков литров в час. [19]
 |
Диффузионные термические установки. а - двухзонная СДД-13, б - однозонная СДО-13. [20] |
СДД-13 и СДО-13, широко применяемых в производстве кремниевых полупроводниковых приборов. Процесс диффузии примесей в кремниевые пластины состоит из двух стадий. [21]
Весьма важную роль в диффузионном процессе играет окисляющая среда. Растущая в процессе диффузии примеси окисная пленка SiO2 предохраняет поверхность кремния от эрозии ( из-за испарения) и нежелательных химических реакций и поэтому, как показывает практика, заметно повышает воспроизводимость диффузии. [22]
Осуществляется это обычно путем регулировки процесса диффузии примесей. Такие транзисторы называются дрейфовыми транзисторами. Схема энергетических уровней такого транзистора показана на фиг. [23]
Основными из них являются: дисперсионное твердение ( механизм Мотта и Набарро), механизмы Коттрелла и Сузуки, ближний порядок ( механизм Фишера) и К-состояние. Указанные механизмы упрочнения отличаются различными схемами взаимодействия дислокаций с растворенными атомами примесей и разной скоростью процесса диффузии примесей в решетках всевозможных типов. [24]
Кроме того, адсорбция атомов углерода и азота на полигональных субграницах в некоторой мере способствует также увеличению химической активности. Этим, в частности, обусловлено некоторое увеличение [97, 98 ] скорости коррозии металла, прошедшего низкотемпературный отпуск, по сравнению с неотпущенным: полигонизация приводит к увеличению общей протяженности субграниц с сегрегированными на них атомами примеси ( процессы диффузии примесей к субграницам облегчаются нагревом), которые повышают химическую активность этих границ. [25]
Из-за неточностей маски, через которую воспроизводили изображение резистора на фотослое, отношение длины резистора к ширине получается отличным от требуемого. Это отношение изменяется еще больше в результате процесса травления. Наибольшие погрешности вносит процесс диффузии примесей, в результате чего полученное сопротивление слоя оказывается отличающимся от расчетного. [26]
Вакансионный механизм часто реализует диффузию примеси замещения в кристалле. Примесь диффундирует по кристаллу в результате обменов местами с различными вакансиями, которые время от времени оказываются вблизи нее. Этот механизм должен быть особенно существенным и лимитирующим процесс диффузии примеси в том случае, когда атом примеси значительно больше атома кристалла-матрицы и становится совершенно маловероятным прямой обмен местами примеси и регулярного атома. [28]
Кроме того, это дает возможность изготовить низкоомный электрод конденсатора. Диффузионное формирование эмиттера также заканчивается повторным окислением верхней поверхности. Контроль на этом этапе является очень важным, так как толщина слоя окисла определяет емкость изготовляемого конденсатора. На рис. 2.13 показано сечение ( а) и вид сверху ( б) подложки после окончания процесса диффузии эмит-терной примеси. [30]
Страницы: 1 2 3