Cтраница 3
Однако интенсивность флуктуации тока эмиссии на низких частотах в режиме насыщения быстро убывала со временем ( примерно по экспоненциальному закону), и явление было объяснено содержанием в вольфрамовом катоде различных примесей, диффундирующих на его поверхность и затем испаряющихся оттуда. Одной из таких возможных примесей в вольфраме является кальций, появление атомов которого на поверхности катода приводит к местному понижению работы выхода и роста эмиссии. Испарение же кальция с поверхности ведет также к местному восстановлению прежнего высокого значения работы выхода и падению эмиссии. При увеличении температуры катода скорость процессов диффузии примеси и ее испарения с поверхности возрастает, что ведет к сдвигу низкочастотной части спектра флуктуации в направлении несколько более высоких частот и к ускоренному падению интенсивности флуктуации со временем. [31]
Исследование диффузии элементов VI группы сильно осложняется их химической активностью. В процессе диффузионного отжига на поверхности полупроводника может образоваться слой сложного фазового состава или же происходит интенсивное газовое травление и эрозия поверхности образца. Это приводит к аномальному концентрационному распределению диффундирующей примеси. Процессы фазообразования и термического травления поверхности можно подавить нанесением на поверхность образца защитного слоя SiO2 или SiO или же проведением диффузии из таких соединений элементов VI группы, давление паров халькогена над которыми мало. При малой концентрации халькогена в парах процесс диффузии примеси может быть осложнен образованием пор или комплексов в диффузионной зоне. Образование комплексов при легировании GaAs селеном приводит к самокомпенсации и к изменению электронного типа электропроводности на дырочный. [32]
Присутствие примесей в металле создает условия для деформационного упрочнения. При насыщении дислокаций атомами примеси появляется зуб текучести на кривых деформации, наблюдается эффект Портевена - Ле-Шателье и характерное повышение химической активности на полигонизационных субграницах в случае твердых растворов Fe-С. В сплавах внедрения энергия связи между атомами примеси и дислокациями может быть велика, особенно для сплавов Fe-С и Fe-N, где эта энергия составляет Wu 0 55 эВ [10], что значительно выше, чем WM для многих других сплавов. Кроме того, адсорбция атомов углерода и азота на полигональных субграницах в некоторой мере способствует также увеличению химической активности. Этим, в частности, обусловлено некоторое увеличение [105, 106] скорости коррозии металла, прошедшего низкотемпературный отпуск, по сравнению с неотпущенным: полигонизация приводит к увеличению общей протяженности субграниц с сегрегированными на них атомами примеси ( процессы диффузии примесей к субграницам облегчаются нагревом), которые повышают химическую активность этих границ. Однако следует иметь в виду, что сегрегация углерода и азота на субграницах повышает скорость коррозии в кислых растворах вследствие снижения перенапряжения водорода на выделениях [107], а не вследствие облегчения анодной реакции. [33]