Процесс - инжекция
Cтраница 2
Подытоживая результаты предыдущего раздела, можно сказать, что процесс инжекции электрона или дырки в органический кристалл связан с удалением электрона соответственно из электрода или из кристалла, что в любом случае требует затраты энергии. Если имеется дефицит при переносе электрона в любом направлении, то это соответствует энергетическому барьеру для данного процесса. Лишь в узком диапазоне, в котором р0 - L, не будет энергии активации переноса электрона; недостающая энергия может быть восполнена за счет внешнего источника и подведена в виде кванта излучения, приложенного электрического поля или повышенной температуры. Эта энергия может вызвать возбуждение электрода или кристалла или того и другого вместе. [16]
 |
Энергетическая диаграмма р-п перехода для вырожденных полупроводников. [17] |
В результате уменьшения потенциального барьера под воздействием внешней разности потенциалов развивается процесс инжекции основных носителей, глубина проникновения которых ограничивается областью, примыкающей к переходу. [18]
Число неосновных носителей в каждой из областей резко возрастает за счет процесса инжекции ( впрыскивания) дырок из р - в / г-область и электронов из п - в р-область. За счет движения основных и неосновных носителей заряда ( инжекционный ток), сопровождающегося рекомбинацией, и поступления электронов из внешней цепи и во внешнюю цепь возникает значительный ток через р - л-переход, определяемый объемом полупроводника. Таким образом, полупроводник с открытым р - - переходом ведет себя как очень малое по сравнению с обратным ( гобр) сопротивление Это направление включения разности потенциалов принято называть прямым ( ипр), а соответствующий ток ( iap) - прямым током р - / г-перехода. [19]
Эффект Шотки обусловлен уменьшением высоты потенциального барьера под действием электрического поля в процессе инжекции носителей заряда из металлического электрода в диэлектрик ( см. разд. Обсуждение сил зеркального изображения на границе электролита и органического кристалла см. в разд. Согласно данным Виллига [415] ( см. разд. Это особенно справедливо, когда f0 LD, что, без сомнения, имеет место в случае вырожденного контакта, образуемого ионами Се4 на антрацене. [20]
В инжекционных горелках как полного, так и частичного смешения необходимое давление газа определяется условиями процесса инжекции, поэтому при переводе их на газ иной теплотворности необходимо изменять как давление, так и сечение газового сопла. [21]
Спектральное распределение квантового выхода фотоусиленного тока позволяет в принципе установить отличие роли экситонов в усилении тока от их участия в процессе инжекции с поверхности. В случае фотоинжекции с участием экситонов ток пропорционален градиенту концентрации экситонов у поверхности, и следует ожидать аналогичной зависимости ( пропорционально коэффициенту поглощения) для спектрального распределения квантового выхода при условии, что экситоны доминируют в процессе инжекции. В случае освобождения носителей из ловушек экситонами в объеме спектральное распределение квантового выхода фотоусиленного тока будет обратно пропорциональным коэффициенту поглощения, поскольку по мере увеличения глубины проникновения падающего света экситон встречает на своем пути больше носителей. [23]
Если отсутствуют частицы, входящие в поток плазмы далеко вверх по течению, то А 0, и для того, чтобы получить нетривиальное решение, необходим какой-то процесс инжекции, который мог бы разогнать небольшое количество частиц до определенного начального импульса, с которого и начнется собственно ускорение частиц. [24]
 |
Экспериментальные зависимости тока проводимости в ПЭТФ от напряженности - 1 поля. [25] |
Ток проводимости, измеряемый при наложении постоянного напряжения на полимерный диэлектрик, только при низких напря-женностях поля Е прямо пропорционален Е с ростом напряженности ток растет быстрее вследствие процессов инжекции. Рост тока объясняется термическим возбуждением носителей зарядов и снижением потенциального барьера выхода носителей электрическим полем. [26]
Энергетика процесса инжекции в я-хлоранил наглядно показана на рис. 2.5.16. Зная уровни энергии я-хлоранила [205], получаем ожидаемый изгиб зон на контакте с алюминием. Энергия триплет-ного экситона п-ж), равная - 2 5 эВ, показана дополнительно над и под уровнем Ферми EF алюминия на рис. 2.5.16. Как видим, энергия трип-летного экситона достаточна для преодоления барьера для инжекции электронов, но недостаточна для инжекции дырок. [27]
Перейдем к оценке влияния уровня инжекции на величины Ро, YO и ао - При малых уровнях инжекции концентрация неравновесных носителей мала по сравнению с концентрацией основных равновесных носителей. В процессе инжекции в объем базы входят дырки ( рассматриваем триод типа р-п - р) и практически мгновенно, за время релаксации, входит такое же количество электронов. [28]
После этого начинался процесс инжекции жидкости, характерный для данной скорости газа в элементе и уровня Я, причем подачу воды регулировали таким образом, чтобы при установившейся скорости высота столба жидкости Н в секции 9 ( имитирующей полотно тарелки) поддерживалась постоянно на одном уровне. [29]
Захват электронов на ловушки в двуокиси кремния слабо зависит от напряженности электрического поля и определяется зарядом, инжектированным в диэлектрик. В течение всего процесса инжекции в термических пленках SiO2 наблюдается захват электронов на ловушки. При инжекции в диэлектрик заряда до 10 - 3 Кл / см2 в основном превалирует захват на существующие в оксиде ловушки. При продолжении процесса инжекции больше 10 - 3 Кл / см2 электронный захват начинает определяться вновь образующимися ловушками. [30]
Страницы: 1 2 3 4