Процесс - инжекция
Cтраница 3
Развитие электроники в первую очередь базировалось на практическом применении различных механизмов токопро-хождения: дрейфа и диффузии носителей заряда, электронной эмиссии и др. Так, в результате открытия и практического применения токов электронной эмиссии возникла и получила развитие электровакуумная техника и вакуумная электроника. На основе практического применения процессов инжекции и диффузионного токопрохождения носителей заряда в полупроводниках были созданы транзисторы и возникли современные полупроводниковая электроника и ми кроэлектроника. [31]
Туннельная инжекция заряда в диэлектрик может осуществляться как в режиме постоянного тока, так и в режиме постоянного напряжения. В первом случае в процессе инжекции постоянным остается катодное электрическое поле, а во втором - анодное. [32]
 |
Импульсы тока ( а и напряжения ( б на образце. [33] |
Пбэтому импульс напряжения не повторяет форму импульса тока, а имеет спад, обусловленный возрастанием концентрации но сителей. По окончании первого, инжектирующего импульса тока процесс инжекции носителей в образец прекращается и концентрация неравновесных носителей заряда начинает уменьшаться за счет процесса рекомбинации. Этому соответствует увеличение сопротивления образца и возвращение его к исходной величине. Закон изменения сопротивления образца во времени можно экспериментально определить, если измерять падение напряжения на образце от второго, измерительного импульса тока в зависимости от времени задержки. [34]
Изменение электронного заряда Qn обусловлено тремя причинами базовым током, рекомбинацией в базе и электронными составляющими токов / э и / к. Последние всегда отрицательны, так как в процессе инжекции электроны у х о д я т из базы. Рекомбинацией-ный ток тоже отрицателен, так как рекомбинация приводит к уменьшению числа электронов. Поскольку речь идет о рекомбинации неравновесных электронов, из формулы ( 1 - 516), интегрируя по объему, легко получить для этого тока значение - AQn / t, где AQn - неравновесный заряд электронов. [35]
Изменение электронного заряда Qn обусловлено тремя причинами: базовым током, рекомбинацией в базе и электронными составляющими токов / э и / к. Последние всегда отрицательны, так как в процессе инжекции электроны уходят из базы. Рекомбинационный ток тоже отрицателен, так как рекомбинация приводит к уменьшению числа электронов. Поскольку речь идет о рекомбинации неравновесных электронов, из формулы ( 1 - 516), интегрируя по объему, легко получить для этого тока значение - AQn / T, где AQn - неравновесный заряд электронов. [36]
Выходящий из газосборников прямой газ содержит водяные пары, пары смолы, бензольные углеводороды, аммиак, сероводород, цианистый водород, нафталин и др. Водяные пары в прямом газе получаются вследствие испарения влаги шихты, пирогенетической воды и части воды, подаваемой на охлаждение газа в газосборнике. Кроме того, водяные пары вводятся в процессе инжекции при бездымной загрузке угля в печи. Точных данных о выходе пирогенетической воды не имеется. [37]
Однако в эксплуатации более удобны сопла, открывающиеся под действием давления материала, когда оно достигает определенной величины. Это позволяет более гибко и эффективно регулировать и осуществлять процесс инжекции. [38]
Хофман [158] изучал особую роль, которую играет растворенный кислород в процессе инжекции. [40]
Сходные по своему характеру процессы протекают и при подключении к диоду генератора напряжения. После включения напряжения ток через диод достигает стационарного значения не сразу, так как начинается процесс инжекции и накапливания носителей в базе. Поскольку и const, напряжение на переходе невелико и избыточная концентрация дырок в базе у границы, перехода незначительна. Ток гд в этот момент определяется сопротивлениями Г0 и гп. Растет также градиент концентрации дырок, а с ним и ток гд. [41]
А - постоянная, равная 120 см-2 К 1 для случая, когда электродом служит металл, а изолятором - вакуум или другая система с широким континуумом проводящих состояний; Т - абсолютная температура, а а - коэффициент отражения электронов, пытающихся проникнуть в диэлектрик. Из-за влияния величины ( 1 - а) приходится искать вместо А другую постоянную, более подходящую для описания процесса инжекции в среду, имеющую ограниченную область энергий для эффективного приема электронов, как это имеет место в случае органических кристаллов типа полиа-ценов. В этих кристаллах действует эффективный механизм потери энергии электронов, так что легко может случиться, что электрон термализуется, не выходя из потенциальной ямы зеркального изображения электрода. В этом случае электрон не проникает в кристалл, а возвращается в инжектирующий электрод. Таким образом, кинетическая энергия инжектированного электрона должна быть достаточно большой для того, чтобы преодолеть потенциальный барьер на поверхности, а также покрыть значительные потери энергии в столкновениях и в результате снизиться до теплового уровня в области за пределами действия силы зеркального изображения электрода. Процесс инжекции более подробно рассматривается в гл. [42]
Барьерная же емкость обусловлена в основном неподвижными зарядами ионизированных атомов примеси, оставшихся нескомпенсированными в запирающем слое перехода в результате ухода оттуда основных носителей заряда. Или, иначе говоря, барьерная емкость заряжается основными носителями зарядов, и ток ее заряда не связан с процессом инжекции, а значит и не передается в коллектор. [43]
Если ъ качестве контакта с органическим кристаллом используется раствор электролита, то появляется возможность вводить на поверхность кристалла различные молекулы, участвующие в процессе инжекции зарядов. Так, например, многие красители адсорбируются на поверхности антрацена, и электронно-возбужденные молекулы красителей могут инжектировать заряды в антрацен. Мы уже обсуждали роль родамина В в диффузии экситонов ( разд. Экситон может переносить энергию к красителю путем дальнодействующего феостеровского механизма или близкодействующего процесса электронного обмена. Синглетные экситоны могут участвовать в обоих видах обмена энергией, а триплетные экситоны вследствие запрещенное для них диполь-дипольного перехода могут диссоциировать только путем электронного обмена. Электронное возбуждение красителей может осуществляться непосредственно при поглощении фотона или путем передачи им энергии. Согласно теории Ферстера ( см. разд. [44]
При литье термопластов под давлением бросается в глаза громадная разница между размерами отливаемых изделий и литьевой машины. Большие размеры и вес литьевой машины определяются главным образом массивным механизмом смыкания формы, который удерживает форму в закрытом состоянии под большим усилием, препятствующим раскрытию формы в процессе инжекции. Часть инжекционного давления расходуется на преодоление сопротивлений при нагнетании материала через систему литниковых каналов и впусков, которые обычно охлаждены проточной водой. [45]
Страницы: 1 2 3 4