Процесс - инжекция
Cтраница 4
Данные рис. 2.5.19 основаны на непосредственном измерении J, поскольку аг и Js в основном не зависят от напряженности поля. На этом рисунке отложено также значение обратной величины времени ухода дырки, рассчитанное в предположении, что расстояние d, пройденное электроном на поверхности кристалла к окисленной форме редоксных ионов в процессе инжекции, равно 5 А. Расчетная величина ( d / Vf) - l отложена на правой шкале рисунка. [47]
Спектральное распределение квантового выхода фотоусиленного тока позволяет в принципе установить отличие роли экситонов в усилении тока от их участия в процессе инжекции с поверхности. В случае фотоинжекции с участием экситонов ток пропорционален градиенту концентрации экситонов у поверхности, и следует ожидать аналогичной зависимости ( пропорционально коэффициенту поглощения) для спектрального распределения квантового выхода при условии, что экситоны доминируют в процессе инжекции. В случае освобождения носителей из ловушек экситонами в объеме спектральное распределение квантового выхода фотоусиленного тока будет обратно пропорциональным коэффициенту поглощения, поскольку по мере увеличения глубины проникновения падающего света экситон встречает на своем пути больше носителей. [48]
Яркость и мощность излучения во многом определяются конструкцией светодиода. Чем больший ток можно пропускать через диод при допустимом его нагреве, тем больше яркость и мощность излучения: увеличение их с ростом тока обусловлено тем, что интенсивность спада избыточной концентрации неосновных носителей заряда в результате рекомбинации пропорциональна начальной концентрации последних, которая тем больше, чем активнее протекает процесс инжекции, а следовательно, чем больше ток / пр. [49]
Они находят широкое применение также в мощных ключевых схемах. МДП-транзисторы являются униполярными приборами, работа которых основана на использовании только основных носителей заряда. Процессы инжекции в МДП-транзисторах не используются. На рис. 3.33 схематически показана конструкция МДП-тран-зистора. В полупроводниковой подложке р-типа сформированы две высоколегированные п 1 -области - исток и сток. [50]
Кроме уже рассмотренной классификации электропроводности по типу носителей заряда, следует разграничить также разные механизмы генерации носителей заряда в диэлектриках. Равновесные носители заряда образуются только в случае термической генерации. При процессах инжекции электронов или дырок с металлических электродов, а также при фотогенерации и при различных облучениях появляющиеся носители неравновесны. Ударная ионизация возникает в сильных электрических полях и также приводит к генерации неравновесных носителей. При нарастании концентрации носителей заряда удар-ая ионизация может вызвать электрический лробой. [51]
В-третьих, по законам механики при адиабатическом движении частица должна, описав замкнутую траекторию, вернуться в конце концов к исходной точке и удариться об инжектор, что приведет к уходу ее из ловушки. Чтобы избежать этого, необходимо в ходе инжекции сделать движение частиц в какой-то степени неадиабатическим. Можно в процессе инжекции быстро наращивать магнитное поле ловушки, но скорость нарастания должна быть такой, чтобы поле заметно менялось за время одного циклотронного оборота, что технически довольно затруднительно. Более удобный практически метод заключается в том, что впрыскиваются молекулярные ионы D2, которые уже внутри ловушки чри столкновениях диссоциируют на атомные ионы и нейтральные атомы. Процесс столкновения существенно неадиабатичен; у атомного иона циклотронный радиус вдвое меньше, чем у молекулярного. [52]
Разные способы получения электретов с гомозарядом обладают различной возможностью регулирования процесса. В случае применения статической электризации, разрыва адгезионной связи регулирование процесса инжекции затруднено, но при коронном разряде положение изменяется, а при облучении пучком заряженных частиц регулирование свойств электретов значительно упрощается: можно точно дозировать количество инжектированных носителей зарядов, менять их природу, знак, регулировать глубину инжекции. [53]
Страницы: 1 2 3 4