Процесс - легирование
Cтраница 3
Для получения эпитаксиальиых слоев с заданным удельным сопротивлением проводят процесс легирования. Равномерность легирования эпитаксиалыюго слоя также зависит от разброса температуры по поверхности подложки. [31]
Максимальная электрическая активность примеси достигается при оптимальном балансе между процессами легирования с образованием твердого раствора замещения и ее компенсации, связанной с разупоря-дочением кристаллической структуры. [32]
В ряде случаев эффект каналирования можно рассматривать как положительно влияющий на процесс легирования, так как глубина проникновения ионов в мишень увеличивается. Однако ввиду того что расчет распределения и его прогнозирование с учетом каналирования весьма сложны, в практике используют вариант расчетов с аморфной мишенью. При этом считают ионные пучки ориентированными так, что углы падения превышают критические для каждого типа мишени. [33]
Практикой установлено, что основными технологическими факторами, с помощью которых мастер может влиять на процесс легирования, являются режим раскисления шлака, продолжительность контакта металла после введения ферротитана в ванну с футеровкой и шлаком в печи и температура металла. [34]
Установка Везувий-1 оборудована пультом, с которого выполняется дистанционное управление источником ионов, вакуумной системой и процессом легирования. [35]
Можно предположить, что это расхождение наблюдается за счет образования аэрозольных частиц, не участвующих в процессе легирования и вес которых составляет четвертый порядок от потери веса электродов. [36]
Доля примесных атомов в электрически активных положениях определяется массой легирующего иона, дозой облучения, температурой мишени в процессе легирования и температурой отжига. [37]
Из недостатков метода следует отметить низкое содержание ( до 5 %) компонентов, которое можно ввести в заготовку за один процесс легирования. Повторное легирование требует введения дополнительной операции отжига заготовки в вакуумной печи. [38]
 |
Распределение электронов у / - металлов VI группы. [39] |
Ферросплавы удовлетворяют черную металлургию как материал для получения легированных сталей, так как в этом случае железо и углерод не мешают процессу легирования. [40]
Приемное устройство снабжено гониометром, обеспечивающим установку мишени под нужным углом к пучку, и печью сопротивления для нагрева подложек в процессе легирования. [41]
Для придания выращиваемым монокристаллам тех или иных электрофизических параметров, необходимых для успешного их использования в конкретных областях полупроводникового приборостроения, применяются процессы легирования определенными примесями. В настоящее время круг используемых в технологии важнейших полупроводниковых материалов легирующих примесей достаточно ограничен. Как правило, легирование осуществляется примесями, образующими мелкие донорные и акцепторные уровни в запрещенной зоне, соответственно у дна зоны проводимости или у потолка валентной зоны. При этом удается управляемо воздействовать на тип проводимости и концентрацию носителей заряда в полупроводнике. Иногда для легирования используются примеси, образующие глубокие уровни в запрещенной зоне, что позволяет воздействовать на диффузионную длину носителей заряда и регулировать степень компенсации электрически активных центров в легируемом материале. [42]
При получении эпитаксиальных слоев бинарных соединений AnlBv или их твердых растворов компонент Ev при комнатной температуре находится обычно в газообразном состоянии, что обеспечивает постоянство состава газовой фазы и управляемость процессом легирования. На рис. 4.16 представлена схема установки для эпитаксиального роста и легирования бинарных соединений GaAs, GaP, GaN и твердых растворов типа GaAs. GaxIni xP; A ] xln1 - xP; Ga In P Asi - j; GajAl jN, а также других возможных комбинаций, технологически осуществимых при росте из газовой фазы. [43]
Металлоорганнческие соединения начали использоваться ь технологии соединений Л3ВЬ сравнительно недавно, но уже заняли прочное место в качестве основных компонентов как в синтезе эпитаксиальных пленок ппролитичоским методом, так и в процессах легирования традиционными методами - хлоридным и хлоридно-гидридным. Для этих целей Промышленное гью освоено производство ряда соединений. [44]
Нами разработаны удобный метод синтеза алкильных производных селена и теллура, химико-спектральные и газохроматографи-ческие методы их анализа на содержание примесей; путем ректификации получены чистые образцы, которые были испытаны в процессах легирования э.с. арсенид-фосфида галлия. [45]
Страницы: 1 2 3 4