Процесс - мицеллообразование
Cтраница 2
Эффектом экранирования объясняется уменьшение энтальпии в процессе мицеллообразования. [16]
Длина углеводородного радикала оказывает решающее влияние на процесс мицеллообразования в водных средах. [17]
 |
Зависимость светопоглощения раствора ПАВ от концентрации. [18] |
По зависимости ККМ от температуры рассчитывают термодинамические свойства процесса мицеллообразования. [19]
 |
Фазовая диаграмма температура - состав системы лаурат натрия вода. На диаграмме изображены три вида двухфазных областей. [20] |
Проведенный анализ [185] показал, что изменения энергии Гиббса процесса мицеллообразования состоят из вкладов трех фундаментальных процессов, однако оценка каждого отдельного вклада выполнена не была. [21]
Рассмотрим, как возникают мицеллы, чем вызваны различия процессов мицеллообразования в водных и углеводородных средах, почему гибкие молекулы ПАВ при мицеллообразовании в водных растворах ведут себя иначе, чем жесткие. [22]
 |
Фазовая диаграмма температура - состав системы лаурат натрия вода. На диаграмме изображены три вида двухфазных областей. [23] |
Проведенный анализ [185] показал, что изменения энергии Гиббса процесса мицеллообразования состоят из вкладов трех фундаментальных процессов, однако оценка каждого отдельного вклада выполнена не была. [24]
Для процессов, протекающих самопроизвольно, а именно таким является процесс мицеллообразования, энтропия возрастает. Значительное изменение энтропийной составляющей указывает на существенную роль суммарных энтропийных изменений в процессе мицеллообразования в среде черного сульфатного щелока. Мицеллообразование в большой мере определяется особенностями структуры растворителя. При объединении неполярных частей молекул ПАВ в мицеллы нарушается ориентация молекул воды, наведенная при истинном растворении ПАВ. Таким образом, при ДФ0 как увеличение энтропии, так и уменьшение АФ указывает на повышение склонности мыл к мицеллообразованию. [25]
 |
Изотерма поверхностного натяжения коллоидных ПАВ, иллюстрирующая начало мицелло-образования в точке ККМ. [26] |
При полном заполнении монослоя ( Г Лоо) постоянному значению a соответствует постоянное значение хими-ческого потенциала ПАВ в растворе, что определяет процесс мицеллообразования как процесс образования новой фазы. [27]
 |
Изотерма поверхностного натяжения коллоидных ПАВ, иллюстрирующая начало мицеллообразования в точке ККМ.| Фазовая диаграмма раствора коллоидного ПАВ. [28] |
При полном заполнении монослоя ( Г Лоо) постоянному значению о соответствует постоянное значение химического потенциала ПАВ в растворе, что определяет процесс мицеллообразования как процесс образования новой фазы. [29]
Для методов, использующих адсорбцию поверхностно-активного вещества на границе жидкость - пар, существует еще одна причина наличия верхней границы концентрации - процесс мицеллообразования. Выше критической концентрации мицеллообразования поверхностная активность компонентов падает до нуля [ 47, 49; 51, гл. Для большинства поверхностно-активных веществ эта концентрация лежит в области 0 001 - 0 01 М; примерно в этой области и находится верхняя граница применимости большинства методов поверхностного разделения. Значение критической концентрации мицеллообразования и, следовательно, положение верхней границы применимости определяются типом поверхностно-активного вещества, температурой и наличием примесей, особенно электролитов. [30]
Страницы: 1 2 3 4