Процесс - нанесение - пленка
Cтраница 2
Газовыделение из стенок и других поверхностей рабочей камеры значительно снижается предварительным их прогреванием, в результате которого поглощенные системой газы десорбируются, откачиваются и тем самым устраняется следующее постепенное их выделение в процессе нанесения пленок. Это позволяет повысить предельный вакуум. [16]
При выборе типа вакуумной установки с насосами предварительного и окончательного разрежения принимаются во внимание скорость откачки воздуха из камеры напыления и быстрота удаления газов, выделяемых источником испарения и другими деталями установки в процессе нанесения пленки, а также чистота разреженного пространства камеры напыления. [17]
В работе Да Сильва и Миллера исследован процесс получения тонких пленок полибутадиена методом тлеющего разряда. Процесс нанесения пленки состоит из введения в вакуумную камеру газообразного мономера с последующей полимеризацией его на антикатоде. [18]
Этот метод позволяет получить конфигурацию элементов любой сложности и имеет большую точность по сравнению с масочным, однако он более сложен, так как включает ряд прецизионных операций. При использовании фотолитографии процессы нанесения пленок и формирование конфигураций пленочных элементов во времени разделены. [19]
При таком способе одновременно с процессом нанесения пленки на поверхность происходит ее обезвоживание. Способ электрофореза особенно пригоден и экономичен для автоматической окраски большого числа изделий при серийном производстве. [20]
 |
Вид записи на диаграммной ленте самописца сигнала от оптического датчика толщины, приведенного на 56.| Блок-схема устройства автоматического контроля толщины с использованием оптического датчик. [21] |
Непрерывная запись показаний фотоэлемента позволяет непрерывно контролировать толщину пленки. Измерительная система позволяет легко производить автоматическую остановку процесса нанесения пленки в момент достижения предварительно выбранного минимума. [22]
Наряду с упомянутыми методами известно также разложение моно-силана в вакууме, протекающее в широком интервале температур, начиная от 600 С и выше, использованное Джойсом с сотрудниками для получения гомоэпитаксиальных пленок кремния. Этот метод, где подложка содержится в вакууме в процессе нанесения пленки из пара низкого давления ( порядка единиц торр), способствует большей чистоте пленки и производительнее в силу непрерывной откачки продуктов реакции от поверхности, так как скорость диффузии реагента к фронту гетерогенной реакции не является, как в обычных, газотранспортных методах, фактором, лимитирующим процесс роста. Метод прост и надежно контролируется. [23]
Различный химический состав осаждаемых материалов и разнообразные способы, применяемые для их нагрева и испарения, а также широкий диапазон требуемой скорости осаждения и заданной толщины тонкопленочных слоев вызывают необходимость использовать методы измерения, основанные на различных физических принципах. Распространение находят в основном методы, позволяющие производить контроль в процессе нанесения пленки. [24]
Это объясняется необходимостью более сильной электронной бомбардировки кремния, а также и тем, что образующиеся пленки SiOz примерно в 4 раза более проницаемы для электронов. Ввиду того, что в процессе катодного распыления детали сильно разогреваются, процесс нанесения пленок приходится производить с периодическим охлаждением деталей. [25]
 |
Спектральные кривые пропускания и отражения стекла. [26] |
Все указанные окислы прозрачны для видимой и ИК областей спектра и поэтому могут использоваться для просветления деталей из стекол, кристаллов и других оптических материалов. Выбор веществ при трехслойном просветлении определяется границей прозрачности отдельных окислов и технологическими особенностями процесса нанесения пленок. [27]
Многие технологические процессы, объединяемые сейчас названием толстопленочная технология, продолжительное время использовались для нанесения металлизации на керамику при изготовлении катушек индуктивности, керамических конденсаторов и других высококачественных радиоэлементов. Толстопленочная технология широко применялась также при изготовлении элементов микромодулей, в частности микромодулей этажерочной конструкции. Здесь находили применение процессы нанесения пленок вжиганием из паст проводящих, резистивных и диэлектрических слоев. [28]
В технологии тонкопленочных микросхем используется дорогостоящее вакуумное оборудование. Сам технологический процесс более трудоемкий. Однако высокая чистота процесса нанесения пленок в вакууме и возможность контроля всех критических параметров процесса определяют перспективность тонкопленочной технологии для большинства прецизионных схем приборостроительной промышленности. [29]
Это относится равным образом как к пленкам, получаемым термическим испарением в вакууме [255], так и к тем, которые получаются различными химическими методами. Поэтому в настоящее время для получения пленок разработана и сконструирована вакуумная аппаратура с металлическими колпаками, допускающими испарение при 300 - 400 С. Повышение температуры в процессе нанесения пленок приводит и к возможности получения более толстых пленок. [30]
Страницы: 1 2 3