Cтраница 3
Существуют полуавтоматические установки для массового производства пленочных микросхем. Электронные элементы схемы наносят на стеклянные подложки через шаблоны путем испарения в вакууме резистивных, проводящих магнитных и полупроводниковых материалов. Проверяют элементы схем в процессе нанесения пленок. На нанесение всех резисторов схемы или емкостей затрачивают не более 15 сек. Такой метод массового производства микросхем позволяет на 10 - 15 % снизить стоимость изготовления схем и в несколько раз ( до 10) повысить их надежность. [31]
По технологическому принципу изготовления гибридные интегральные микросхемы делят на толстопленочные и тонкопленоч-иые. Толщина наносимых пленок, образующих элементы микросхемы, составляет единицы и десятки микрометров. При изготовлении тонкопленочных микросхем пассивные элементы получают путем последовательного нанесения проводящих, резистивных и диэлектрических слоев толщиной порядка десятых и сотых долей микрометра. Необходимая конфигурация элементов в этом случае достигается либо с помощью трафаретов в процессе нанесения пленки, либо путем избирательного химического травления сплошной пленки. [32]
Происходит повторное распыление пленки, как например, при ионном распылении со смещением. В отличие от распыляемой поверхности катода поверхность растущей пленки постоянно пополняется материалом катода с исходным соотношением компонентов, так что измененный слой здесь образовываться не сможет. Перенос материала с высоким коэффициентом распыления на катод и обратно сам по себе был бы несуществен для процесса нанесения пленки, если бы не неизбежная потеря некоторой его части за счет диффузии из межэлектродного пространства. [33]