Процесс - напыление
Cтраница 2
Процесс напыления углерода нетрудно контролировать, так как даже весьма тонкие углеродные пленки ( 100 - 150 А) имеют слабо-коричневую окраску. [16]
Процесс напыления пластмасс аналогичен процессу металлизации напылением и отличается от него лишь нагревом заготовок до указанных температур. [17]
Процесс напыления неметаллов имеет большое сходство с процессом металлизации. Нанесение неметаллических покрытий производится для защиты от коррозии различного технологического оборудования и строительных конструкций, создания электроизоляционных слоев, выравнивания поверхности деталей, нанесения декоративных покрытий и изготовления различных деталей из стеклопластиков. [18]
 |
Кривые распределения. [19] |
Процесс напыления углерода нетрудно контролировать, так как даже-весьма тонкие углеродные пленки ( 100 - 150 А) имеют слабо-коричневую окраску. [20]
Процесс напыления защитного покрытия на молибден или ниобий начинается с грубой зачистки поверхности металла для создания шероховатостей, улучшающих механическую сцепляемость. После химического травления и обдувки поверхности, паром покрытие напыляется плазменным способом. [21]
Окончив процесс напыления и вплавления, змеевик следуег продуть сжатым воздухом, а при достижении в рабочем объем заданной температуры, напустить воздух или азот в рабочий объ ем установки, предварительно закрыв вакуумный затвор и поста вив золотниковый кран в положение, при котором паромасляньи насос соединен с механическим. Затем освобождают колпак от за поров, поднимают его, пинцетом извлекают полупроводниковьк пластины и укладывают их напыленной стороной вверх в специ альную тару. [22]
На процесс напыления существенно влияют состояние и температура обрабатываемой поверхности. [23]
 |
Конструкция рабочей камеры полуавтомата ПНФ-2. [24] |
Поэтому процесс напыления фоторезиста производится в закрытой рабочей камере, предотвращающей осаждение пылинок. Обойма вместе со сборниками легко извлекается для промывки от накопившегося фоторезиста. Последние вставляют с торцовой стороны в крышку рабочей камеры. В установке ПНФ-2 осуществляется автоматическое дозирование фоторезиста, обеспечивающее нанесение пленки равномерной толщины. Подача фоторезиста на пластины производится сжатым воздухом. Изменяя давление сжатого воздуха и время дозирования, можно регулировать в широких пределах количество подаваемого фоторезиста. Конструкция дозатора не допускает испарения растворителя, поэтому концентрация и вязкость раствора фоторезиста постоянны. Детали дозатора, контактирующие с раствором фоторезиста, изготовлены из фторопласта. В дозаторе раствор фоторезиста фильтруется через микропористую прокладку непосредственно перед подачей на подложку. [25]
Производительность процесса напыления зависит также от про - - водимости материала, из которого изготовлена вавна ( резервуар) для порошка. [26]
Автоматизация процесса напыления приводит к значительному повышению производительности труда, улучшению качества ППУ и состояния поверхности покрытия, повышению стабильности качества. [27]
Автоматизация процесса напыления должна включать: контроль и управление электрической частью установки, расходом газов и их давлением в форкамере и дозаторе, подачей напыляемого порошка, температурой рабочего газа, скоростью перемещения напыляемого проката. Кроме того, могут контролироваться количество напыляемых изделий, температура напыляемого проката, толщина напыленного слоя и положение металлопроката относительно соплового узла. [28]
Стоимость процесса напыления зависит прежде всего от производительности аппарата, стоимости материалов и энергоносителей. Поэтому на себестоимость покрытия в большей степени могут оказать влияние потери металла при напылении, чем, например, разница в стоимости газов и электроэнергии. [29]
Параметры процесса напыления ( вакуум в рабочей зоне, скорость конденсации, скорость протяжки и температура подложек) контролируют непосредственно на установке и корректируют, измеряя Нс, Нк, Вг магнитоупругость TJ ДЯК / ( Д / / /) и пороговые токовые характеристики магнитных элементов. Датчики контроля давления остаточного газа размещают неподалеку от зоны напыления. Увеличение давления свыше 10 - 4 Торр по сравнению с рабочим ( 10 - 5 - 10 - 6 Торр) вызывает окисление пленок, уменьшение же его ниже 10 Торр приводит к росту размеров кристаллитов, что неблагоприятно сказывается на вращательном перемагничивании пленок. Для увеличения Нс может быть использован более глубокий вакуум. Скорость конденсации, которая в известной степени определяет микроструктуру пленок, измеряют непосредственно ионизационным манометром или косвенно по изменению оптической прозрачности контрольных пленок. Толщину пленок контролируют оптическим резистивным ( основан на измерении омического сопротивления пленок) и резонансным методами. Последний является наиболее точным ( 3 %), та1 как при этом используется свойство кристалла кварца изменять ч: готу колебаний при нанесении на его поверхность дополнительной массы материала. [30]
Страницы: 1 2 3 4