Процесс - химическое осаждение
Cтраница 1
Процесс химического осаждения ведут непрерывно с автоматическим регулированием основных параметров. [1]
Процесс химического осаждения включает образование первичного осадка, а также хемостарение осадка. По химическому составу осадок представляет собой основную соль определенного состава NiCO3 - 2Ni ( OH) 2, которая как соль типа Фейткнехта принадлежит к системе осадок - раствор типа Б ( см. гл. [2]
Процессы химического осаждения из газовой фазы можно использовать для получения следующих функциональных слоев ИМС. [3]
Процессы химического осаждения металлов применяют для получения токо-проводящего слоя на поверхности диэлектрика. [4]
 |
Технологическая схема карбонизации алюминатного раствора по. пособу спекания мокрой шихты. [5] |
Процесс химического осаждения гидроксида алюминия про-екает, согласно Жевноватому ( 1955 г.) в результате двух парал -: ельных химических взаимодействий. [6]
Все процессы химического осаждения можно разделить по агрегатнбму состоянию среды, из которой происходит выделение твердой фазы, на два основных типа: химическое осаждение из раствора и химическое осаждение из газовой фазы. Из них наибольшее значение и распространение имеет первый тип, рассматриваемый в настоящей монографии. [7]
А процессы химического осаждения пленок материалов из металлорганических ( metalorganic - МО) соединений обычно называют МО ХОГФ или МО CVD процессами. [8]
 |
Степень флокуляции как функция среднего градиента скорости G, времени гидравлического удерживания в и типа осадителя. Число камер флокуляции п 2. [9] |
Между процессами химического осаждения фосфора и его связыванием в почве существует много общего. [10]
В процессе химического осаждения в водоемах аридной зоны вещество дифференцируется по химическим свойствам. [11]
В процессе химического осаждения палладия большое положительное значение имеет его автокаталитический характер. [12]
Схема регулирования процесса химического осаждения по значению рН изображена на рис. 129 ( стр. Регулирование рН осуществляют автоматически с помощью блочного регулирующего рН - метра, состоящего из комплекта приборов и механизмов. [13]
 |
Зависимость концентрации углерода п молибдене от скорости откачки. [14] |
При проведении процессов химического осаждения при пониженных давлениях, вследствие повышения средней длины свободного пробега молекул газа и уменьшения теплопроводности газовой среды, снижается вероятность протекания гомогенной реакции. В результате этого реакция термического разложения осуществляется гетерогенно на поверхности подложки, что приводит к образованию плотных осадков с хорошей адгезией. В работе [34] приведены теоретические расчеты зависимости скорости образования пленки молибдена при разложении гексакарбонила молибдена от общего давления. Показано, что скорость роста осадка увеличивается с уменьшением общего давления в системе или, что то же самое, с уменьшением молярной доли кар-бонила в газовой фазе. Проведение процесса при более низком давлении приводит не только к увеличению скорости роста пленки, но и к снижению содержания углерода в металлическом осадке. [15]
Страницы: 1 2 3 4