Процесс - химическое осаждение
Cтраница 2
 |
Принципиальная схема анодной защиты металлической. [16] |
Установки для процессов химического осаждения металлов чаще всего располагают в гальванических цехах, что позволяет использовать имеющееся там оборудование для обезжиривания, изоляции, травления, промывки, сушки и термообработки деталей. Химическое осаждение металлов осуществляется в непроточных или проточных растворах. В некоторых случаях раствор выливают и заменяют свежим после обработки в нем одной-двух партий деталей, в других - раствор фильтруют, корректируют и используют многократно. [17]
При некоторых процессах химического осаждения образуются покрытия из неметаллических материалов в сочетании с металлами, имеющие пористую структуру. Каждый метод нанесения дает осадки с различными характеристиками. Многие осадки получаются пористыми или по крайней мере несплошными. Так как практически невозможно получить совершенные осадки то были разработаны такие покрытия, в которых преднамеренно увеличена трещиноватость, причем металл подложки является анодом. Так как при этом возможна только-определенная плотность катодного тока, то путем создания многочисленных анодов удается добиться, чтобы коррозия в любой и этих точек была незначительной вместо обширного разъедания, которое происходило бы, если бы покрытие имело лишь немногочисленные трещины. [18]
Существенную роль в процессах химического осаждения играет подложка. [19]
Итак, основными параметрами процесса химического осаждения являются: рН среды, температура, пересыщение раствора, величина затравки осадком. [20]
Заметим, что энергетика процесса химического осаждения, например, проходящего путем обычной поликонденсации, также складывается очень благоприятно. И здесь межатомные связи разрываются за счет энергии экзотермических реакций, которые протекают при обычном давлении и невысоких температурах. Но химическое осаждение приводит к получению, как мы видели выше, вещества неопределенного состава и строения. [21]
Причины автокатализа и механизм процессов химического осаждения ( восстановления) металла тоже еще полностью не раскрыты. Существует довольно много различных предположений, среди которых можно выделить два направления. [22]
Как показало дальнейшее изучение процессов химического осаждения, применение правила Веймарна-Габера оправдано не во всех случаях. Ограничение применения его на практике вызвано тем, что оно сформулировано лишь с учетом воздействия дв х факторов на процесс осаждения: концентрации растворов и растворимости осадков. Воздействие других факторов ( взаимоотношения осадка с дисперсионной средой, воздействие затравки осадком и др.) на процесс осаждения этим правилом не охватывается. Область оправданного применения правила Веймарна-Габера будет очерчена ниже. [23]
Причины автокатализа и механизм процессов химического осаждения ( восстановления) металла тоже еще полностью не раскрыты. Существует довольно много различных предположений, среди которых можно выделить два направления. [24]
Аналитики и технологи при проведении процессов химического осаждения заинтересованы в полноте осаждения данного иона. Для аналитических целей Н. А. Тананаев ( 1938 г.) вывел общее требование к полноте осаждения, основанное на приближенном определении границы растворимости осадка: в обычных условиях весового анализа необходимая и достаточная граница растворимости составляет 1 ( Г6 моль ионов в 1 л раствора. Для технологических целей подобного общего требования к полноте осаждения не существует, так как она определяется в каждом конкретном случае. [25]
Мы уже знаем, что все процессы химического осаждения по характеру получаемых веществ разделяются на две группы: процессы осаждения с образованием соединений, имеющих постоянный состав, и процессы осаждения с образованием соединений, имеющих переменный состав. [26]
Мы уже знаем, что все процессы химического осаждения по характеру получаемых веществ разделяются на две группы: процессы осаждения с образованием соединений, имеющих / постоянный состав, и процессы осаждения с образованием соединений, имеющих переменный состав. [27]
 |
Блок-схема системы для химического осаждения из паровой фазы, применяемая для изготовления тонкопленочных кремниевых солнечных элементов. [28] |
Керн и Бэн [114], анализируя процессы химического осаждения тонких неорганических пленок из паровой фазы, отмечают, что, несмотря на большие успехи в разработке и создании реакторов, необходимо их значительное усовершенствование для сокращения потребления химических реактивов и энергии, уменьшения тепловых потерь и повышения степени полез-ного использования реактивов. [29]
Страницы: 1 2 3 4