Процесс - переброс
Cтраница 1
Процессы переброса происходят и с поперечными, и с продольными фононами. [1]
Процессы переброса - процессы рассеяния частиц ( квазичастиц), при которых изменение их квазиимпульса выводит его за пределы первой зоны Бриллюэна. [2]
 |
Температурная зависимость р / рс никеля ( / и палладия ( 2. [3] |
Процессы переброса для электронов проводимости аналогичны ( / - процессам для фононов, кратко рассмотренным в гл. [4]
Процессы переброса оказываются неэффективными, так как в силу неравенства (9.28) соответствующая им длина свободного пробега фононов слишком велика. Фонон может необратимо потерять импульс только при столкновении с поверхностью образца. [5]
Процесс переброса схемы происходит весьма быстро и ограничивается во времени лишь паразитными емкостями схемы. После переброса лампа Лх оказывается открытой, а / 72 закрытой. Напряжение Ult при котором начинается лавинообразный процесс переброса триггера, называется верхним порогом срабатывания. [6]
 |
Электромеханические схемы современных поляризованных pi.| Обозначения поляризованных реле. [7] |
Процессы переброса якоря совершаются быстрее. [8]
Поскольку процессы переброса охватывают взаимодействие электронов с возбужденными колебаниями решетки ( фононами), обладающими сравнительно высокой энергией, они обязательно должны вымерзать при достаточно низких температурах. Однако Зиман полагает, что температура, необходимая для проверки его предположения, может оказаться очень низкой ( Т / & ы 1 / 30), и поэтому экспериментальное подтверждение ( Вудс [31], Уайт и др. [170]) этого вывода получить очень трудно, ибо при столь низких температурах остаточное сопротивление, связанное с химическими и физическими дефектами кристаллической решетки, преобладает в металлах даже самой высокой степени чистоты. [9]
Поскольку процессы переброса охватывают взаимодействие электронов с возбужденными колебаниями решетки ( фононами), обладающими сравнительно высокой энергией, они обязательно должны вымерзать при достаточно низких температурах. Однако Знман полагает, что температура необходимая для проверки его предположения, может оказаться очень низкой ( 7 / Н 1 / 30), и поэтому экспериментальное подтверждение ( Вудс [31], Уайт и др. [170]) этого вывода получить очень трудно, ибо при столь низких температурах остаточное сопротивление, связанное с химическими и физическими дефектами кристаллической решетки, преобладает в металлах даже самой высокой степени чистоты. [10]
Если процессы переброса несущественны, то параметры Ге, це, v определяются из законов сохранения числа частиц, энергии и импульса. [11]
Учет процессов переброса может изменить величину х лишь Б меру своей малости. [12]
Кроме процессов переброса и рассеяния фононов на границах кристаллитов ( или на внешних границах образца) существуют и другие виды рассеяния фононов, приводящие к конечному тепловому сопротивлению. Рассмотрение теплопроводности аморфных тел сопряжено со значительными трудностями, которые обусловлены отсутствием трансляционной симметрии в расположении атомов, то есть отсутствием дальнего порядка. Уже в силу этого отличия аморфных тел от кристаллов можно было ожидать, что механизм переноса тепла в них будет иной, чем в кристаллах. [13]
Пренебрежение процессами переброса при низких температурах может быть оправдано следующими рассуждениями. При выводе формулы (19.3) из формулы (19.1) предполагалось, что вклад каждого элемента поверхности Ферми аддитивен. При низких температурах в процессах переброса могут участвовать электроны только в таких состояниях k, которые близки к границе зоны. Так как лишь незначительная часть поверхности Ферми находится вблизи границ зоны, то вклад процессов переброса в скорость изменения Л ( q) пренебрежимо мал. [14]
Именно поэтому процессы переброса ( / - процессы) приводят к появлению теплового сопротивления и обеспечивают при теплопереносе установление теплового равновесия в газе фононов. [15]
Страницы: 1 2 3 4