Процесс - переброс
Cтраница 2
 |
Теоретические зависимости фононной теплопроводности от температуры. [16] |
Именно поэтому процессы переброса ( ( У-процессы) приводят к появлению теплового сопротивления и обеспечивают при теплопереносе установление теплового равновесия в газе фононов. [17]
Именно поэтому процессы переброса ( / - процессы) приводят к появлению теплового сопротивления и обеспечивают при теплопереносе установление теплового равновесия в газе фононов. [18]
В пренебрежении процессами переброса, в правой части этого уравнения стоял бы нуль, между тем как левая часть заведомо отлична от нуля ( подынтегральная функция - четная функция k, поскольку cj ( k) - четная, а и дио / д а - нечетная функции); это противоречие и означает отсутствие решения у кинетического уравнения. [19]
В пренебрежении процессами переброса, в правой стороне этого уравнения стоял бы нуль, между тем как левая сторона заведомо отлична от нуля ( подынтегральная функция - четная функция k, поскольку co ( k) - четная, a u doo / dk - нечетная функции); это противоречие и означает отсутствие решения у кинетического уравнения. [20]
 |
Триггер с эмиттерными связями ( триггер Шмитта ( а, его передаточная характеристика ( б и формирование выходного напряжения ( в. [21] |
Конденсатор С ускоряет процесс переброса и может отсутствовать. При Wux0 транзистор VTi закрыт, VT2 открыт и насыщен. [22]
Сам по себе процесс переброса в новое состояние происходит, в общем, так же, как в триггере. Однако в отличие от триггера упивибратор после окончания переброса не остается в новом состоянии надолго. Через некоторое время самопроизвольно происходит обратный переброс - возврат к прежнему состоянию, так как новое состояние унивибратора ( при котором лампа У /, заперта) вовсе не является состоянием равновесия. У этого конденсатора до переброса потенциал левой обкладки был нуль ( из-за влияния сеточных токов лампы У /), а потенциал правой обкладки был - ( - 300 в, так как лампа У7г была заперта. [23]
Это могут быть процессы переброса, рассеяние на границах, на дефектах. [24]
Это можно объяснить процессами переброса, а при самых низких температурах рассеянием на границах; и) / изменяется: как Т 1 шш медленнее. С уменьшением температуры достигается: максимум; при более низких температурах теплопроводность определяется рассеянием па границах. Тепловое сопротивление выше температуры максимума, по-видимому, обусловлено дефектами; в) п поликристаллах тепловое сопротивление, обусловленное границами кристаллитов, увеличено п максимум смещен к более высоким температурам. [25]
КУФ связана с фонон-фононными процессами переброса, we - с рассеянием электронов на фононах, ш - - с рассеянием на дефектах. [26]
Отсутствие необходимости в процессах переброса приводит к тому, что эта часть коэффициента поглощения возрастает с понижением температуры лишь по степенному, а не по экспоненциальному закону. [27]
В таких условиях роль процессов переброса переходит к примесному рассеянию и формулы ( 69 6 - 8) остаются в силе, если заменить % в них Iv на / пр. [28]
В таких условиях роль процессов переброса переходит к примесному рассеянию и формулы (69.6) - (69.8) остаются в силе, если заменить в них l j на / пр. [29]
Сопротивление, связанное с процессами переброса в различных диэлектриках. [30]
Страницы: 1 2 3 4