Процесс - переброс
Cтраница 3
Так как при Т OD процессы переброса столь же часты, как и процессы с сохранением квазиимпульса, вычисленная нами длина Z /, в которой не выделялись процессы переброса, имеет правильный порядок величины в той области, где она имеет значение. [31]
Правда, триггерная связь убыстряет процесс переброса. Импульс синхронизации воздействует при этом на один транзистор, не оказывая влияния на другой. [32]
С математической точки зрения появление процессов переброса следует из таких соображений. [33]
Таким образом, в отсутствие процессов переброса в кристалле было бы возможно существование потока тепла при постоянной вдоль всего тела температуре; другими словами, кристалл обладал бы бесконечной теплопроводностью. [34]
 |
Спектральная зависимость коэффициента поглощения света в полупроводнике типа германия.| Прямые и непрямые оптические переходы. [35] |
Такое изменение требует участия в процессе переброса кроме фотона и электрона еще и какого-либо третьего тела, которое заберет часть импульса на себя. Таким третьим телом может быть фонон или ион примеси. Переходы с участием третьего тела называют непрямыми. [36]
Применительно к рассеянию фононов на фононах процессы переброса и обусловливают появление теплового сопротивления. Таким образом, рассеяние удобно описывать изменением волнового вектора электрона при рассеянии его на любых несовершенствах кристаллической решетки. [37]
 |
Принципиальная схема симметричного триггера с независимым смещением. [38] |
Однако и статический режим, и процесс переброса имеют в транзисторном триггере значительную специфику. [39]
При дальнейшем понижении температуры, когда процессы переброса оказываются вымороженными, а длина свободного пробега существенно возрастает, основную роль играет рассеяние фононов на границах кристаллитов или на внешних границах образца. [40]
В отличие от частоты Vp - процессов переброса, эффективная частота vy нормальных столкновений уменьшается с температурой по степенному закону; имея в виду применение в § 71, определим закон этого убывания. [41]
При низких температурах, когда вероятность процессов переброса экспоненциально мала, рассеяние на точечных дефектах может стать основным резистивным механизмом. При этом возбуждены и переносят тепло в основном длинноволновые фононы; применимо рэлеевское приближение; большую роль играют нормальные процессы. Относительная величина второго слагаемого уменьшается с ростом концентрации дефектов. [42]
При низких температурах, когда вероятность процессов переброса экспоненциально мала, рассеяние на точечных дефектах может стать основным резистивным механизмом. При этом возбуждены и переносят тепло в основном длинноволновые фононы; применимо рэлеевское приближение; большую роль играют нормальные процессы. Относительная величина второго слагаемого уменьшается с рос-том концентрации дефектов. [43]
В отличие от частоты v j процессов переброса, эффективная частота VN нормальных столкновений уменьшается с температурой по степенному закону; имея в виду применение в § 71, определим закон этого убывания. [44]
Столкновения такого типа были названы Пайерлсом процессами переброса. Именно U-процеосы приводят к появлению теплового сопротивления. [45]
Страницы: 1 2 3 4