Cтраница 4
Для МДП-систем с двухслойным диэлектриком SiO2 - ФСС ( фосфор-но-силикатное стекло) зарядовая деградация при инжекционных нагрузках имеет ряд принципиальных отличий. S МВ / см наблюдается накопление отрицательного заряда, которое связывается с захватом инжектированных электронов на границе SiO2 - ФСС или в самой пленке ФСС. Известно, что как при пассивации двуокиси кремния ФСС, так и при ионной имплантации создаются электронные ловушки, но природа их до конца не определена. В других работах отмечается, что воздействие полярных молекул РС13 и РОС13 в процессе получения пленки ФСС на решетку SiO2 может привести к разрыву химических связей между тетраэдрами и, как следствие, появлению электронных ловушек, локализованных на границе раздела SiO2 - ФСС. [46]