Cтраница 2
Рассмотрим влияние генерационных и рекомбинационных процессов на свойства электронно-дырочного перехода при прямом и обратном включениях. [16]
Безотносительно к солнечным элементам рекомбинационные процессы на межкристаллитных границах исследовали в течение продолжительного периода. [17]
Как известно, кинетика рекомбинационных процессов связана с наличием в люминофоре ловушек ( см. стр. От числа ловушек, их энергетической глубины и числа электронов, находящихся на них, зависит длительность послесвечения. [18]
Не вникая в детали рекомбинационных процессов, рассмотрим два важных случая изменения Дя ( или Др) во времени. [19]
По типу кинетики к рекомбинационным процессам относится свечение кристаллофосфоров ( см. § 1 и § 8) и свечение химически реагирующих веществ. [20]
На высоких частотах к рекомбинационным процессам в базе добавляются дисперсионные процессы, интенсивность которых зависит от толщины базы w0 - j - Дш. С ростом частоты влияние рекомбинации на изменение тока коллектора становится менее заметным по сравнению с теми изменениями, которые обусловливаются дисперсией. [21]
Однако далеко не всегда эти рекомбинационные процессы приводят к излучению фотонов. Рассмотрим эти вопросы более подробно. [22]
При низких температурах, когда рекомбинационные процессы заморожены, концентрация радикалов в основном определяется условиями их образования, для которых более благоприятна аморфная фаза. При комнатной же температуре, когда рекомбинационные процессы происходят интенсивно, кристаллическая фаза, создающая большие затруднения для рекомбинации, становится более выгодной для накопления радикалов. [23]
Прежде чем приступить к обсуждению рекомбинационных процессов в поликристаллических пленках, рассмотрим экспериментальные результаты исследований электропроводности различных поликристаллических пленок. [24]
В общем случае необходимо учитывать и рекомбинационные процессы на поверхности, которые приводят к появлению добавочного тока / F. [25]
В предыдущих главах подробно рассматривалась статистика рекомбинационных процессов, происходящих с участием примесных центров. [26]
В отношении длительного затухания представление о рекомбинационном процессе не может заменить идеи о метастабильных состояниях и обратно. Вырывание электрона из сферы действия узла решетки не объясняет всех случаев длительного послесвечения. Этому противоречит строго экспоненциальный закон спадания яркости, который обнаружен у многих неорганических соединений, люминесцирующих стекол и органических молекул. Скорость затухания и малая зависимость ее от температуры свидетельствуют, что процессы, тормозящие излучение, протекают в пределах самой молекулы, находящейся в фосфоресцентном состоянии. [27]
Для нас очень важно выяснить, какие рекомбинационные процессы возможны в Стволе дуги. Можно сразу заметить, что вероятность существования отрицательных ионов в дуге крайне мала. Поэтому приходится говорить об электронной рекомбинации, либо непосредственной ( соударение электрона с ионом), либо при тройном соударении. Все специалисты согласны с тем, что рекомбинация ионов в дуге практически исключается. [28]
В жидкостях возможны излучение дискретных центров и рекомбинационные процессы. [29]
Это значит, что в обратно смещенном переходе рекомбинационные процессы прекратятся, а процесс генерации носителей интенсифицируется. Равновесие, таким образом, будет сдвинуто в сторону генерации электронно-дырочных пар. [30]