Рекомбинационный процесс

Cтраница 3

В объеме камеры детектора могут протекать два типа рекомбинационных процессов: электрон-ионная рекомбинация, если в рекомбинации участвует свободный электрон, и ион-ионная рекомбинация, когда участвующий в рекомбинации электрон ранее был связан молекулой или радикалом. [31]

Излучение полупроводниками электромагнитных колебаний оптического диапазона является результатом рекомбинационных процессов носителей тока: электронов и дырок. Рекомбинация этих частиц сопровождается выделением энергии, равной по величине разности их энергетических состояний. В ряде случаев, в зависимости от строения полупроводника и состояний носителей тока, эта энергия может выделиться в виде фотона. Процессы рекомбинации, приводящие к излучению фотонов, изучены далеко не полно. [32]

Из опыта следует, что в отличие от рекомбинационных процессов константы скорости реакций присоединения атома или радикала ( а также на-сыщешюй молекулы) к кратной связи или к сопряженной системе свнзей при протекании реакции как по заколу второго № 3), так и третьего ( & W) порядка выражаются обычно формулой Аррениуса с положительной энергией активации. [33]

Си, а протекание тока обусловливается в основном рекомбинационными процессами. При низких концентрациях носителей преобладающим механизмом протекания тока в освещенных элементах является туннелирование носителей при участии рекомбинационных центров. Подтверждением этих результатов служит уменьшение обратного тока насыщения и возрастание значений параметра а ( 1 / nkT) при увеличении концентрации носителей. [34]

При наличии в полупроводнике нескольких типов ловушек количественное описание рекомбинационных процессов, особенно в нестационарных условиях ( кривые релаксации), становится весьма затруднительным. Однако в отдельных случаях здесь могут помочь полуколичественные соображения, основанные на разумной классификации ловушек по той роли, которую они могут играть в рекомбинационных процессах. [35]

Константы скорости процессов. [36]

Нейтрализация заряженных частиц в объеме плазмы происходит в результате различных рекомбинационных процессов. [37]

Основной причиной ухудшения свойств плоскостных транзисторов является влияние излучения на объемные рекомбинационные процессы - При инжекции неосновных носителей через область базы особенно важно, чтобы они не рекомбинировали прежде, чем пройдут эту область. Поэтому транзисторы с очень узкой областью базы могут выдержать большее облучение, чем транзисторы с широкой областью базы. Величина изменения времени жизни зависит от числа созданных дефектов и от сечения рекомбинации дефектов. Экспериментальные наблюдения наводят на мысль, что сечение рекомбинации дефектов в кремнии, облученном быстрыми нейтронами, значительно больше, чем в германии, даже с учетом большей скорости образования дефектов в кремнии. [38]

Нужно упомянуть также о тех случаях, когда газокинетическая модель рекомбинационного процесса оказывается неприемлемой. В таких условиях электрон не всегда теряет связь с тем центром, которому он принадлежал ранее, и существенным оказывается учет диффузионного характера движения электрона. [39]

Присутствие в пламени солей металлов оказывает существенное влияние на скорость рекомбинационных процессов. Нью-стабб [156] показал, что свинец в водородном пламени фактически ионизирован, но тогда очевидно, что он должен обладать такой же способностью образовывать электрон, как и натрий в ацетиленовом пламени. Он объясняет этот экспериментальный факт двояко: во-первых, собственная ионизация в зоне реакции ацетиленовых пламен, безусловно, много больше, чем при горении смеси водорода с кислородом; во-вторых, возможен процесс, в котором свинец непосредственно передает свой электрон положительному иону, возникающему в пламени. [40]

Сплошной спектр сине-фиолетового пламени свидетельствует о том, что этот спектр обусловлен рекомбинационными процессами. Из коротковолновой границы сплошного спектра, отвечающей энергии около 100 ккал, следует, что по крайней мере одним из участников этих процессов должен быть свободный атом или радикал. [41]

Однако значительная часть возникших свободных радикалов рекомбинирует, высокие локальные концентрации радикалов благоприятствуют рекомбинационным процессам. [42]

В большинстве практических случаев стремятся уменьшить ток базы, что достигается за счет снижения рекомбинационных процессов в базе. При этом улучшаются усилительные способности транзистора. [43]

Из приведенных выше соотношений и рис. 6.12 видно, что с понижением температуры темп рекомбинационных процессов в структурах МДП резко замедляется. [44]

Таким образом, приближенная теория горячего пламени с разветвленными цепными реакциями при определяющей роли рекомбинационных процессов, предложенная в [20], приводит к разумной физической картине явления, дает классификацию различных случаев и позволяет получить интерполяционные формулы для скорости распространения пламени. [45]

Страницы: 1 2 3 4