Кристаллизационный процесс

Cтраница 1

Кристаллизационные процессы могут иметь место и в ходе ТМА; результатом их является получение, вместо ожидаемых эластичных материалов, материалов жестких, закристаллизованных. При этом возникают уже двухфазные системы, рассматриваемые ниже. [1]

Кристаллизационные процессы начинаются при температуре 685 С образованием a - метабората цинка a - ZnO В2О3 ( кривая б), и с повышением температуры спекания количество его возрастает. [2]

Кинетика фазового превращения при постоянной температуре. [3]

Кинетика кристаллизационных процессов в твердом состоянии определяется двумя параметрами - скоростью зарождения центров превращения и линейной скоростью роста из этих центров. Как было показано выше, оба параметра кристаллизации зависят от степени переохлаждения или перегрева. [4]

Содержание едкого натра в соединениях. [5]

Кроме кристаллизационных процессов, накипь может образоваться вследствие вторичных процессов накипеобразования, а также осаждения и налипания шлама. Изменение состава и строения уже образовавшейся накипи может, кроме того, происходить за счет процессов, протекавших между отдельными компонентами накипи или между накипью и окислами металлов. [6]

Программирование кристаллизационного процесса чаще всего применяют для получения однородно легированных по длине монокристаллов элементарных полупроводников методами Чохральского, горизонтальной направленной кристаллизации и зонной плавки. [7]

Кинетика кристаллизационного процесса превращения аустенита в фер-ритно-цементитную смесь исследуется путем построения кривых, аналогичных изображенной на фиг. Различаются три стадии процесса: а) начальный период, в котором скорость превращения очень мала; б) период, в котором максимальная скорость отвечает тому моменту времени, когда превратилось около 50 % аустенита; в) заключительный период, когда процесс идет с замедляющейся скоростью и заканчивается полным исчезновением исходной фазы - аустенита. [8]

Как всякий кристаллизационный процесс, распад аустенита происходит при помощи зарождения центров кристаллизации новых кристалликов и их роста. [9]

Оценка глубины кристаллизационных процессов по изменению объема системы лежит в основе дилатометрического способа изучения кинетики кристаллизации. [10]

Доказательством протекания кристаллизационных процессов в полимерах служит выделение тепла, которое может быть измерено. [11]

Применяемые в технике кристаллизационные процессы, в зависимости от способа создания пересыщения раствора, можно подразделить [2-14] на кристаллизацию охлаждением, выпаркой при постоянном подводе тепла, адиабатическим испарением растворителя, высаливанием, добавлением растворителя, уменьшающего растворимость кристаллизующегося вещества, и кристаллизацию в результате химической реакции. [12]

Дифрактограммы волокон, вытянутых при 170 С. [13]

Особенно сильно выражены кристаллизационные процессы в направлении, нормальном к оси волокна, в области небольших степеней вытягивания, где напряжения вытягивания при данной температуре наиболее малы. С повышением кратности и, следовательно, напряжения вытягивания рост кристаллитов в направлении, нормальном к оси волокна, заметно падает, а для кратностей вытяжки, больших 6, происходит даже незначительное уменьшение величины К по сравнению со значением К свежесформованного волокна. Так как при этом общая кристалличность волокна после его вытягивания остается достаточно высокой ( / кр равен 0 68 0 02), можно предположить, что при больших кратностях вытяжки кристаллизационные процессы приобретают характер ориентационной кристаллизации. [14]

Номограмма для нахождения а. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5