Cтраница 4
Для доказательства механизма первого созревания как кристаллизационного процесса на рис. 11.11 и 11.12 приведены результаты наблюдения за этой стадией в опытах с различными образцами желатины и при разном времени эмульсификации. Результаты представлены в виде кривых изменения общего числа зерен со временем созревания и статистических кривых распределения зерен по величине при 1 час, когда скорость кристаллизационного процесса сильно замедляется. Из этих данных видно, что хотя качественная картина является подобной - это указывает на принципиальное сходство механизма процесса для разных образцов, однако в количественном отношении наблюдается заметное различие. Оно связано с природой желатины, а именно с ее защитной функцией, которая оказывает особенно сильное влияние в начальной стадии формирования твердой фазы эмульсии. [46]
Собственные дефекты решетки возникают во время кристаллизационного процесса, особенно в его начальной стадии. Поэтому внутренняя часть эмульсионных зерен должна содержать большое число нарушений, в которых могут удерживаться молекулы желатины и возникать примесные центры. Такие внутренние нарушения, изолированные от поверхности микрокристаллов, обусловливают глубинную светочувствительность, которая вследствие образования и эволюции центров изменяется в процессе второго созревания. Это заключается в том, что известная доля внутренних центров скрытого изображения образуется за счет фотоэлектронов из поверхностного слоя и, наоборот, некоторая часть поверхностного скрытого изображения создается фотоэлектронами, освобожденными изнутри. [47]
Следовательно, разложение апатита не осложняется кристаллизационными процессами. [48]
Другая важная операция - термообработка сопровождается релаксационными и кристаллизационными процессами, в результате чего волокно приобретает равновесную молекулярную структуру. Термообработка проводится при 220 - 250 С в течение 0 3 - 2 мин. В зависимости от длительности процесса получают волокна с различной водостойкостью. [49]
Схема адгезионного ( а и когезионного ( б отрыва полимерной пленки. [50] |
Устойчивость во времени такого соединения мала: кристаллизационные процессы в полимере или коррозионные на подложке приводят к резкому ослаблению сцепления пленки с металлом. [51]
Так как типичной стороной первого созревания является кристаллизационный процесс, то, следовательно, назначение этой стадии должно сводиться к изменению величины поверхности твердой фазы эмульсии, причем суммарная поверхность с увеличением времени созревания будет уменьшаться, поверхность же индивидуальных зерен, наоборот - расти. На протяжении его подготавливается в той или иной степени развитая поверхность твердой фазы, из которой во время второго созревания образуются топохимическим путем примесные центры. [52]
Исходя из этого, рассмотрим количественную сторону кристаллизационных процессов. Прежде всего нас будет интересовать, какое количество атомов водорода с данным значением днг удерживается на поверхности вольфрама. [53]
Выполнение этой сложной задачи достигается подбором условий кристаллизационного процесса и топохимических превращений, протекающих в двух стадиях созревания. Таким образом, синтез фотографической эмульсии состоит из стадии образования дисперсной твердой фазы и сопряженного ( непременно сопутствующего) ее взаимодействия с окружающей средой - желатиной. [54]
При поверхностной кристаллизации интенсивность накипе-образования определяется характером кристаллизационного процесса, причем паровые пузыри играют роль его активизатора. Сдвигая ионы и молекулы очередного ДЭС, они создают кольцевые зоны местного пересыщения на поверхности металла или уже кристаллических отложений и стимулируют накипеобразо-вание в режиме парообразования. [55]
Существенное влияние на зародышеобразование и начальную стадию кристаллизационного процесса оказывает скорость введения раствора аммиаката серебра. [56]
В работе [20] были установлены качественные закономерности кристаллизационного процесса в стадии эмульсификации и первого созревания. Это действительно наблюдается у хлоро - и бромосеребряных эмульсий, когда в начальной стадии формирования твердой фазы, наряду со сферическими частицами, появляются кубические кристаллы. При увеличении температуры или избытка галогенида происходит смена менее равновесной кубической огранки на октаэдральную. [57]
Схема реального распределения концентрации примеси N по длине кристалла L, выращенного из расплава методом зонной плавки. [58] |
Первая охватывает методы, основанные на программировании кристаллизационного процесса, а вторая - на подпитке кристаллизуемого ( рабочего) расплава. [59]
Достоинством методов, в которых используется программирование кристаллизационного процесса, является возможность осуществления их с помощью стандартной аппаратуры, применяемой для выращивания монокристаллов полупроводников ординарными методами - Чохраль-ского, Бриджмена, горизонтальной направленной кристаллизации пли зонной плавки Поэтому они нашли широкое применение в маломасштабном производстве и для исследовательских целей. [60]