Псевдоемкость

Cтраница 2

В пользу этого может свидетельствовать появление псевдоемкости, связанной с разрядом водорода при ф, когда его выделение из чистого электролита происходить не может. [16]

Представляется, что когда для определения адсорбционной псевдоемкости, например платины [22, 133], используется метод быстрого гальваностатического заряжения, то равновесие в стадии I должно нарушаться и значение потенциала, измеренного в процессе анодного окисления водорода, может включать составляющую перенапряжения. Действительно, эта точка зрения была высказана Долиным и Эршлером [33] еще в 1940 г., однако в последующих работах [135] она, по-видимому, игнорировалась. [17]

Если имеет место фарадеевская адсорбция, то псевдоемкость может намного превышать величину емкости двойного слоя [ 220, 223, 387, 513, 520, см. также разд. [18]

Принципиальная схема установки для измерений с применением переменного тока. [19]

Чтобы при определении емкости двойного слоя исключить псевдоемкость, измерения проводят на идеально поляризуемом электроде. В этом случае можно ( при отсутствии осложняющих явлений) более точно определить емкость двойного слоя. [20]

Си используют для расчета поляризационного сопротивления Rs и псевдоемкости Cs. С по правилам векторного сложения омической и емкостной составляющих сопротивления вычитают сопротивление раствора Rs и емкость двойного слоя С. Последние определяют независимым способом, например, в индифферентном электролите, не содержащем исследуемой окислительно-восстановительной системы. В индифферентном электролите фарадеевский импеданс будет бесконечно большим, и эквивалентная схема ячейки будет состоять из последовательно включенных омического сопротивления раствора Rs и емкости двойного слоя С. [21]

В скобках указаны параметры для режима с использованием псевдоемкости. [22]

Поляризационные кривые в области низких значений потенциалов платинового анода при различных концентрациях ацетата натрия.| Зависимость емкости С и сопротивления реакции R от потенциала анода при различных концентрациях ацетата натрия. [23]

Как видно из рис. 125, зависимость максимума псевдоемкости от концентрации ацетата имеет аналогичный характер. [24]

Конуэй и Гилеади [30] представили зависимость степени покрытия и псевдоемкости от потенциала в виде общей изотермы, содержащей члены, присущие чисто ленгмюровской и темкинской изотермам; такое общее уравнение легко выводится из изотермы Ленгмюра. Предложено несколько форм изотермы, незначительно отличающихся друг от друга. [25]

В этом случае значительный вклад в накапливаемую энергию вносится псевдоемкостью отрицательного электрода, что позволяет более чем в два раза повысить энергию конденсатора. [26]

Эквивалентная схема ячейки по отношению к переменному току. [27]

С - емкость двойного слоя ртутной капли; С3 - псевдоемкость; Rs - поляризационное сопротивление; R - сумма всех сопротивлений, включенных последовательно с ячейкой. [28]

Сдс - дифференциальная емкость двойного слоя; GHC - так называемая псевдоемкость, связанная с протеканием электрохимической реакций. Адсорбция заряженных частиц по-разному влияет на оба этих слагаемых, а изменение емкости влечет за собой изменение емкостного тока и формы полярограммы. [29]

Важно отметить, что эта емкость, названная Грэмом [63] псевдоемкостью, по своей природе совершенно отлична от емкости ионного двойного слоя Сдв.сл. Степень покрытия 9 может меняться только при условии перехода заряда через двойной слой у неидеально поляризуемого электрода, тогда как Сдв. Однако, с другой стороны, С как электрический параметр ведет себя аналогично обычной емкости, за исключением того, что эта емкость может меняться в широких пределах при изменении потенциала и частоты сигнала переменного тока или скорости заряжения постоянным током. [30]

Страницы: 1 2 3 4