Р-га-переход

Cтраница 1

Крайние р-га-переходы в тиристорах этого типа перекрыты основными электродами С и D. Управляющий электрод УЭ присоединен к верхней р-области. [1]

Эмиттерный р-га-переход инжектирует в область базы дырки, которые диффундируют в направлении коллекторного перехода. [2]

Формируют р-га-переход путем введения акцепторной добавки - трехвалентного металла, получая дырочный полупроводник, и путем введения донорной добавки - пятивалентного металла, например сурьмы или мышьяка, получая электронный полупроводник. В качестве типичных способов введения примесей существуют такие, как сплавление, выращивание кристалла. Рассмотрим кратко способ сплавления. На электронный германий кладут мелкое зерно индия ( точка плавления 160 С) и нагревают в атмосфере аргона до 550 С. После 10 - 15 мин охлаждения происходит рекристаллизация, заключающаяся в том, что на поверхности исходного кристалла из полученного расплава кристаллизуется слой германия, легированного индием. Этот слой представляет собой дырочный германий. Так образуется р-п переход. [3]

Мы рассмотрели резкий р-га-переход, в котором область изменения концентрации примесей значительно меньше области пространственного заряда. В полупроводниковых приборах встречаются также другие типы переходов. [4]

Образование р-и-перехода.| Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле ( к p - n - переходу приложено обратное напряжение. [5]

Использование свойств р-га-перехода в полупроводниковых приборах в большинстве случаев связано с приложением к переходу разности потенциалов. При этом в переходе возникает дополнительное электрическое поле, изменяется высота потенциального барьера, а вместе с этим изменяются и потоки основных и неосновных носителей. [6]

При облучении р-га-перехода и прилегающих к нему областей полупроводника светом возникает эдс; на этом основано действие фотоэлементов. [7]

Нелинейные свойства р-га-перехода используются в целом ряде полупроводниковых приборов. [8]

Если к р-га-переходу приложено внешнее электрическое поле Евн плюсом к л-области и минусом к р-области ( рис. 9, б), то направление внешнего поля совпадает с направлением поля р-п-перехода. [9]

В полупроводниковых диодах р-га-переход осуществляется или в виде сплавного контакта между двумя полупроводниками с разного типа электропроводностями, или в виде контакта между пластинкой полупроводника и металлическим острием. В первом случае образуется некоторая плсщадь соприкосновения ( контакт) двух полупроводников и такие диоды называются плоскостными. Точечные диоды обладают очень малой емкостью р-га-перехода и применяются на высоких частотах. [10]

Канал проводимости. [11]

Обратное напряжение расширяет р-га-переход в области капала почти параллельно поверхности. Сопротивление канала из-за малой площади его сечения будет относительно высоким. [12]

Переходная область, р-га-переход, представляет большое сопротивление для тока. Поэтому если толщина всего образца не очень велика, то основная часть приложенного внешнего напряжения V падает на р - - переход. [13]

Что такое емкость р-га-перехода и как она зависит от величины приложенного напряжения. [14]

Поскольку от свойств р-га-переходов зависят основные характеристики микросхем, а свойства р-тг-переходов зависят от распределения примесей в полупроводниковых структурах, получаемых, методом диффузии, к процессам диффузии предъявляют жесткие требования по прецизионности геометрических размеров диффузионных областей и точности распределения концентрации примеси. Это, в свою очередь, выдвигает определенные требования к технологическим режимам процесса диффузии: количество и распределение введенной примеси, точность температуры и времени. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5