Р-га-переход

Cтраница 2

Применяют для защиты р-га-переходов фотодиодов от воздействия влаги и воздуха. [16]

Схемы подачи питания на электроды транзисторов р-п - р и п-р - п с условными обозначениями выводов. [17]

Если приложить к р-га-переходу внешнее напряжение так, что к положительно заряженной n - области будет присоединен плюс, а к отрицательно заряженной р-области - минус, то исходный потенциальный барьер будет еще более повышен и через р-га-переход удастся прорваться лишь ничтожному количеству носителей тока. Следовательно, электрическое сопротивление р-га-перехода будет велико, а ток через него очень мал ( меньше 1 мка) во всем интервале рабочих напряжений. Такое включение р-га-перехода называют обратным. [18]

Полупроводниковые приборы с р-га-переходом также могут применяться для преобразования тепловых излучений в электрические сигналы. К таким приборам относятся [15] фотодиоды ( ФД-3, ФДК-1 и др.) и фототранзисторы. Однако имеющиеся в настоящее время фотодиоды и фототранзисторы охватывают небольшую область инфракрасных излучений и эффективны в оптическом и прилегающем к нему диапазоне волн. Так, красная граница германиевого диода ФД-3 Кк - 1 8 -мкм, а у кремниевого диода ФДК-1 Як 1 1 мкм, их постоянная времени составляет 10 мкс, а чувствительность 25 и 5 мА / лм соответственно. Метрологические характеристики фотодиодов и фототранзисторов невысоки, поэтому их применение ограничено обычно использованием в устройствах автоматики при достаточно большом значении плотности потока излучения. [19]

Таким образом, здесь р-га-переход разделяет электроны и дырки, созданные светом. [20]

Функция плотности состояний для вырожденного полупроводника п-типа. [21]

В туннельном диоде используется р-га-переход между сильно легированными р - и - полупроводниками. [22]

Обычно полупроводниковые диоды имеют несимметричные р-га-переходы. В соответствии с общим определением ( см. § 2.2) область полупроводникового диода, в которую происходит ин-жекция неосновных для этой области носителей заряда, называют базой диода. Итак, в диоде базовой областью является слаболегированная область. [23]

Рассмотрим прохождение тока через тонкий р-га-переход, созданный внутри полупроводника. Если толщина р - и га-областей не очень велика, то их собственное сопротивление мало и его можно не учитывать. Для того чтобы устранить добавочные сопротивления контактов с металлом, у контактов создается невыпрямляющий антизапорный слой с повышенной проводимостью. [24]

Емкость конденсатора пропорциональна площади р-га-перехода, концентрации основных носителей и диэлектрической проницаемости полупроводникового материала, а также зависит от величины и знака приложенного напряжения: при малых значениях С / 0бр и С / Пр носители зарядов находятся на небольшом расстоянии друг от друга, и емкость р-п-перехода значительна, когда обратное напряжение увеличивается, электроны и дырки расходятся на большие расстояния от р-п-перехода, и его емкость уменьшается. [25]

Механизм действия транзистора с р-га-переходами по сравнению с механизмом работы точечно-контактного транзистора оказывается относительно несложным. Геометрия его более проста, и здесь нет осложняющих факторов, связанных с природой точечных контактов. Контакты проводника с областями эмиттера и коллектора представляют собой омические контакты большой площади. На работу транзистора они не оказывают существенного влияния. Контакт на узкой площади базы также является омическим. [26]

Принцип, схема [ IMAGE ] Принцип, схема. [27]

Лавинное умножение носителей в р-га-переходе имеет место при уд. В р - - переходах, изготовленных на основе ПП с g 0 05 ом - см и имеющих ширину области пространств, заряда o lO - s см, лавинное умножение отсутствует и пробой объясняется туннельным механизмом прохождения носителей заряда через барьер. Такое различие в механизме пробоя объясняется тем, что в широких переходах носители заряда успевают приобрести энергию, достаточную для ионизации, а в узких - не успевают. [28]

Зависимость тока эмиттера и коллектора от напряжения на эмиттере ( на коллектор подано напряжение до насыщения. [29]

Аналогично может быть рассчитана емкость р-га-перехода у эмиттера, но она обычно намного меньше, чем диффузионная емкость Сд, и поэтому не играет особой роли. В приводимой ниже таблице даны значения соответствующих параметров германиевого триода, рассчитанные по вышеприведенным формулам. Там же указаны исходные параметры вещества, конструктивные размеры, а также значения тока эмиттера и напряжения на коллекторе, к которым относятся эти данные. Наблюдаемые на практике значения параметров довольно хорошо согласуются с расчетными. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5