Р-га-переход
Cтраница 4
По мере заряда барьерной емкости напряжение на р-га-переходе и ток через диод стремится к некоторому установившемуся значению, которое определяется активной составляющей сопротивления р-га-перехода. [46]
Плоскостные кремниевые вентили по конструкции аналогичны германиевым, р-га-переход создается при вплавлении алюминия в кремний с проводимостью re - типа. Плоскостные вентили выпускаются с амплитудой обратного напряжения 100 - 600 в, на ср. [48]
Эта часть характеристики представляет собой прямую ветвь характеристики р-га-перехода, последовательно с которым включено небольшое сопротивление. [49]
Донорные и акцепторные примеси, необходимые для создания р-га-перехода, определяют не только величину и тип проводимости, но и участвуют также в самом процессе излучательной рекомбинации. [50]
Применение омического контакта ( с противоположного конца от р-га-перехода) вместо антизапирающего приводит к увеличению участка с ОС. [51]
 |
Вольт-амперные характеристики МДП полевого транзистора с встроенным каналом. [52] |
Зависимость емкости затвора от напряжения аналогична зависимости емкости обычного р-га-перехода. [53]
Колебательный контур состоит из индуктивности L и емкости р-га-перехода полупроводникового диода, благодаря смещению работающего в запертом состоянии. [54]
В транзисторе добавляется новое явление, отсутствующее в отдельном р-га-переходе. [55]
 |
Прямая бы стабилизируется. Тогда ВАХ диода с ветвь диода с толстой толстой базой принимает ВИД базой г. [56] |
Это дает возможность оценить контактную разность потенциалов на р-га-переходе диода. [57]
 |
Входные ( а и выходные ( б характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером. [58] |
Параметрами постоянного тока, определяющими значения неуправляемых токов через р-га-переходы транзисторов, являются следующие. [59]
Они включены по так называемой тириеторной схеме с тремя р-га-переходами. При поступлении на базу одного из тиристоров ( Ti или Т2), охваченных межпереходной обратной связью управляющего сигнала соответствующей полярности, они последовательно открываются ( каждый в своем направлении) и система Тг - Т2 переводится в открытое состояние. Из этого состояния ее можно вывести разрывом цепи питания, изменением полярности или снижением напряжения питания до такой величины, при которой действие межпереходной обратной связи нарушается. Ток в выходной цепи при насыщении транзисторов TI и Т2 ограничивается практически лишь величиной нагрузочного сопротивления. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5