Cтраница 3
Обнаружилось, что рассчитанный по опытным данным критический радиус зародыша составляет 0 013 мм, тогда как эффективный радиус капиллярной структуры был равен 0 6 мм. [31]
Величина пересыщения ( переохлаждения) определяет вероятность образования зародышей, их размер и число. При значительных пересыщениях образование зародышей облегчается, критический радиус зародыша уменьшается и вследствие этого возрастает число центров кристаллизации. Таким образом, при / значительных пересыщениях создаются условия, способствующие росту поликристалла. [32]
Величина пересыщения ( переохлаждения) определяет вероятность образования зародышей, их размер и число. При значительных пересыщениях образование зародышей облегчается, критический радиус зародыша уменьшается и вследствие этого возрастает число центров кристаллизации. Таким образом, при значительных пересыщениях создаются условия, способствующие росту поликристалла. [33]
Первое предположение означает, что не учитывается поверхностное натяжение и силы инерции в жидкости. Оно оправдано, если радиус пузырька R существенно больше критического радиуса зародыша R, а скорость и ускорение радиального движения слоев жидкости на поверхности умеренные. Температура пара в пузырьке равна температуре насыщения ( р) при давлении системы. Ту же температуру имеет жидкость на границе пузырька. Поток тепловой энергии к границе пузырька, обусловленный температурным напором доо Тж - Ts, определяет интенсивность испарения жидкости внутрь пузырька. [34]
Q) соответствует большее значение величины критического радиуса и, при прочих равных условиях, более высокое значение критической скорости нанесения. Одновременно это означает, что пленки тугоплавких металлов, характеризующиеся малыми значениями критического радиуса зародыша, образуют электрически сплошную проводящую структуру в более тонких слоях, поскольку характерная для них высокая плотность зародышей на поверхности подложки при равном количестве конденсированного вещества создает необходимые условия для туннельной и термоэмиссионной проводимости. [35]
Для получения монокристалла необходимо каким-нибудь образом подавить образование множественных центров кристаллизации. Одним из путей является снижение пересыщения ( переохлаждения), способствующее увеличению критического радиуса зародыша. Введение монокристаллической затравки приводит к аналогичным результатам. При этом спонтанный рост трехмерных зародышей подавляется, а осуществляется двумерный рост кристалла на затравке, более выгодный в термодинамическом отношении. [36]
Из формулы ( 22) следует, что кристаллический размер зародыша тем меньше, чем больше скрытая теплота превращения АН и степень переохлаждения AT и чем меньше поверхностная энергия. Для каждого конкретного вещества ( АН и а - постоянны) величина критического радиуса зародыша будет определяться степенью переохлаждения расплава. [37]
Прц кипении и конденсации важную роль играют силы поверхностного натяжения. Обычно размеры реальных поверхностей теплоотдачи существенно превосходят такие внутренние масштабы, как капиллярная постоянная или критический радиус зародыша новой фазы. Необходимо, чтобы такое соотношение сохранялось и при переходе к мелкомасштабным моделям. Важно также обеспечить одинаковые характеристики смачиваемости ( краевой угол смачивания) для оригинала и модели. [38]
Рост кристаллов на катоде происходит в различных формах, из которых главными являются: а) спирали ( пирамидальные); б) усы; в) дендриты. Большое значение имеет соотношение между концентрацией адионов и локальным распределением плотности тока, а также критический радиус зародыша. Межфазное натяжение также играет не последнюю роль. На форму кристаллизации большое влияние оказывает наличие в растворе примесей. [39]
При измерении вязкости ( методом затухания крутильных колебаний тигля) и электропроводности ( по углу закручивания во вращающемся магнитном поле) расплавов Fe, С отмечаются нарушения регулярности режима колебаний системы. Они приписываются возникновению микронеоднородностей в металле, интенсивность ( Да) появления которых оценивается разностью между максимальным ( амакс) и минимальным ( мин) отклонениями от нулевой точки шкалы. Используя уравнение ( VI148), в котором Да принимается равным Р, находят по опытной зависимости величины Да от температуры множитель А и значение AZ. Из последнего по формуле ( VI149) вычисляют критический радиус зародыша возникающей газовой фазы. [40]
Кроме того, при выводе уравнения для / были использованы очень большие упрощения. Концепция энергии активации само диффузии сомнительна, и само понятие межфазного натяжения для очень маленьких частиц также сомнительно. Можно показать, что переохлаждение в 260 К соответствует критическому радиусу зародыша 1 1 нм. [41]
Характер кривых / Сэфф Ф ( А), имеющих для всех исследуемых нами материалов явно выраженный оптимум, определяется тем, что повышение эффективности очистки идет до определенной, оптимальной для данной скорости кристаллизации амплитуды ультразвуковых колеоаний. В этом случае возрастает интенсивность перемешивания расплава и уменьшается величина пограничного слоя. Появление кавитационных полостей способствует выравниванию фронта кристаллизации. При этих условиях эффективный коэффициент распределения примеси стремится к равновесному Ко. С другой стороны, при интенсивности ультразвука Оольше оптимальной происходит разрушение фронта кристаллизации, уменьшается критический радиус зародышей, возрастает число центров кристаллизации. Это приводит к измельчению кристаллических зерен и образованию мелкозернистой структуры материала. Увеличение числа межзеренных границ способствует захвату примеси растущими кристаллами и, следовательно, приводит к ухудшению кристаллизационной очистки. [42]