Величина - заряд - поверхность
Cтраница 3
 |
Электрическая схема намерения в методе аффекта поля с двусторонним конденсатором.| Кривые аффекта поля образца Л5 в ( таблицу. [31] |
Изучаемый полупроводник монтируется в конденсатор, к которому прикладывается электрическое поле, изменяющее поверхностную проводимость. На рис. 3 показана электрическая схема с двусторонним конденсатором. Сравнение кривой эффекта поля, перенесенной в область положительных изменений электропроводности, с теоретической позволяет определить исходное положение загиба зон и положение уровня Ферми на поверхности при любой величине приложенного поля. Изменение кривой эффекта поля после адсорбции позволяет определять величину заряда поверхности, вызванного заряжением при адсорбции, и, таким образом, количественно оценивать хемосорбцию. [32]
Страницы: 1 2 3