Величина - потенциальный барьер
Cтраница 2
При этом возрастает величина потенциального барьера и запирающий слой еще более лишается основных носителей заряда и расширяется. Так как основные носители заряда не могут участвовать в создании тока через р-п-шереход, то обратный ток создается только за счет неосновных носителей, перемещению которых через p - n - переход потенциальный барьер не препятствует. Количество неосновных носителей заряда в полупроводни ке незначительно, и поэтому обратный ток очень мал по сравнению с прямым током. Величина обратного тока мало зависит от обратного напряжения, но в сильной мере меняется при изменении температуры полупроводника, влияющей на количество неосновных носителей заряда. [16]
Таким образом, величина потенциального барьера U [ 2, определяющего внутреннюю контактную разность потенциалов ф U / e, равна разности энергий Ферми изолированных металлов MI и N [ %, отсчитываемых от дна зоны проводимости каждого металла. [17]
Это напряжение изменяет величину потенциального барьера между областью эмиттера и областью базы и сильно влияет на величину тока, проходящего из эмиттера через область базы в цепь коллектора. Так как ток в цепи коллектора лишь немного меньше тока в цепи эмиттера, а сопротивление в цепи коллектора весьма велико, то на зажимах приемника возникает переменное напряжение и2 значительно превышающее напряжение MX. Таким образом, триод работает как усилитель напряжения. [18]
Это напряжение изменяет величину потенциального барьера между областью эмиттера и областью базы и сильно влияет на величину тока, проходящего из эмиттера через область базы в-цепь коллектора. Таким образом, триод работает как усилитель напряжения. [19]
Гибкость молекулы определяется величиной потенциального барьера, который задает степень свободного вращения звеньев цепи вокруг валентных углов. Мы считали, что растворитель, меняя потенциальный барьер в молекуле полимера, меняет ее гибкость. [20]
 |
Изменение потенциального барьера в зависимости от полярности и величины приложенного напряжения.| Схематическое изображение полупроводникового триода ( транзистора. [21] |
На рис. 5.10 показана величина потенциального барьера, которая имеет различное значение в зависимости от полярности приложенного напряжения. Для сравнения дается величина потенциального барьера, свободного от внешнего поля. [22]
Следует отметить, что величина потенциального барьера вращеиия очень мало изменяется с температурой. Но при повышении температуры увеличивается скорость поворотов звеньев. Поэтому у всех полимеров с повышением температуры увеличивается кинетическая гибкость цепи. [23]
Следует отметить, что величина потенциального барьера вращения мало изменяется с температурой. Но при повышении температуры увеличивается скорость поворотов звеньев. Поэтому у всех полимеров с повышением температуры увеличивается кинетическая гибкость цепи. [24]
Как уже указывалось, величина потенциального барьера вращешш зависит от внутри - и меж-молекулярного взаимодействия. [25]
Как уже указывалось, величина потенциального барьера вращешгя зависит от внутри я межмолекул яркого взаимодействия. Поскольку учет межмолекулярного взаимодейс ] вия очень сложен, то при теоретических расчетах обычно рассматривают поведение изолированной макромолекулы и полагаю что значения потенциальных барьеров вращения в цепях полимеров равны величинам, рассчитанным на орнове термодинамических свойств газообразных низкомолекулярных аналогов. [26]
В тензодиодах используется изменение величины потенциального барьера р - / г-перехода, обусловленное изменением ширины запрещенной зоны при механической деформации. Коэффициент тензочувствительности тензодиода к всестороннему давлению достигает нескольких сотен, а при одноосной деформации он значительно выше. [27]
В тензодиодах используется изменение величины потенциального барьера р-п-перехода, обусловленное изменением ширины запрещенной зоны при механической деформации. Чувствительность тензо-диода к всестороннему давлению достигает нескольких сотен, а при одноосной деформации она значительно выше. [28]
В тензодиодах используется изменение величины потенциального барьера р-п-перехода, обусловленное изменением ширины запрещенной зоны при механической деформации. Чувствительность тензодиода к всестороннему давлению достигает нескольких сотен, а при одноосной деформации она значительно выше. [29]
Основным фактором, определяющим величину потенциального барьера, следует считать наличие вторичных фаз в многокомпонентных материалах и примесей, скопляющихся у этих фаз. Ввиду наличия барьера на границах зерен прочность поликристаллического образца зависит от размера зерна. [30]
Страницы: 1 2 3 4