Величина - потенциальный барьер
Cтраница 3
Величина Еэ сравнима с величиной потенциального барьера р-п-пе-рехода и составляет доли вольта. [31]
Для электрохимиков основное значение имеет величина потенциального барьера, который должен преодолеть электрон при выходе из металла за счет термического возбуждения или путем квантовомеханического туннелирования. Величина этого барьера определяется величиной работы выхода электрона Ф, которая имеет различное значение для разных металлов и для разных кристаллических плоскостей одного и того же металла. Работа выхода электрона складывается из объемной составляющей, не зависящей от поверхностной ориентации ( которую обозначим це), и составляющей, возникающей благодаря существованию момента двойного электронного слоя на поверхности. Последняя составляющая определяется состоянием поверхности и, очевидно, должна меняться с изменением ориентации поверхности, с изменением степени совершенства поверхности [ как в случае разупорядочениости поверхности, которая обсуждалась в разд. II, 1 ( 2) ] и с присутствием адсорбированных слоев. [32]
Правильная оценка стадии разряда-ионизации и величины потенциального барьера составляет наиболее существенную часть всего учения об электрохимической кинетике, имеющую огромное значение для электролиза. [33]
При этом считается, что величина внутреннего потенциального барьера ( AFjf) постоянна в пределах реакционной серии. Если это условие соблюдается, то соотношения, полученные при использовании уравнений ( 2) и ( 3), приводят к предсказаниям, полностью согласующимися с постулатом Хэммонда. [34]
Следовательно, спектроскопические данные о величине потенциального барьера внутреннего вращения, получаемые путем исследования молекул в газовой фазе, не могут быть непосредственно использованы в случае полимеров, существующих всегда в виде конденсированной фазы. [35]
 |
Проекции этана ( перспективная и Ньюмена. [36] |
К сожалению, с большей точностью величина потенциального барьера вращения в этане не определена. [37]
Действие больших напряжений приводит к уменьшению величины потенциального барьера и, следовательно, к преимущественной реализации определенного релаксационного процесса. [38]
При таком включении напряжение источника снизит величину потенциального барьера и основные носители тока ( дырки слева и электроны справа) получат возможность проходить через р - n - переход. [39]
По порядку величины они соизмеримы с величинами потенциальных барьеров вращения ( стр. Энергии когезии групп - СНЯ - и - CF2 - очень близки и не могут обусловить такие различия в температурах п авле-1 кя. [40]
Его концепция основана на утверждении, что величина потенциального барьера при перескоке, как и прочность связи, определяется взаимодействием неспаренных электронов. Роль связывающих могут играть как внешние, так и d - электроны, особенно в переходных металлах. [41]
Однако, поскольку в большом числе случаев величина потенциального барьера внутреннего вращения неизвестна или известна, но не точна. [42]
 |
Структура динистора ( а и ее двухтранзисторное представление ( и.| Вольтамперная характеристика динистора. [43] |
Дальнейшее увеличение приложенного напряжения приводит к снижению величины потенциального барьера запертого р-п перехода. Происходит перераспределение падения напряжения во всех частях структуры, понижаются барьеры р-п переходов, число инжектируемых носителей лавинообразно нарастает. Большую роль здесь начинают играть процессы умножения носителей тока. Этому процессу соответствует участок отрицательного сопротивления / / на вольтамперной характеристике. После перехода динистора в открытое состояние его внутреннее сопротивление становится малым, и дальнейшее увеличение напряжения вызывает резкий рост тока - участок / / / на вольтамперной характеристике. В этой области напряжение слабо зависит от тока, это так называемое остаточное напряжение динистора в режиме насыщения. [44]
Естественно, это приводит к существенному снижению величины потенциального барьера Шоттки для электронов вблизи металлических краев и, как следствие, к увеличению электронного тока в обратном направлении, дополнительно к электронному току, обусловленному термоэлектронной эмиссией Ричардсона-Дэшмана. [45]
Страницы: 1 2 3 4