Величина - перекрывание
Cтраница 1
 |
Разработка забоя в мягком грунте.| Шахматная разработка забоя в твердом грунте. [1] |
Величина перекрывания а возрастает с увеличением толщины стружки, высоты забоя и коэффициента разрыхления грунта. [2]
Величина перекрывания двух атомных орбиталей ФА и фв атомов А и В зависит от ряда факторов. Прежде всего, перекрывание фА и фВ отлично от нуля только в том случае, если эти орбитали имеют одинаковую симметрию относительно оси АВ, соединяющей ядра атомов А и В. Перекрывание существенно зависит от типов симметрии обеих орбиталей самих по себе. [3]
Величина перекрывания кругов не является количественной мерой энергии возникающей ковалентной связи: в лучшем случае она дает некоторое наглядное представление о так называемом кулоновом интеграле, входящем как слагаемое в энергию связи. Интеграл этот отвечает суммированию электростатических взаимодействий электронов с ядрами при условии полной неизменности облаков, накладываемых друг на друга, и при распространении интегрирования корня квадратного из электронной плотности на весь объем облаков, а не только на перекрывающиеся части кругов с радиусом гмакс. Все, что лежит вне связевой области, служит для разрыхления связи и составляет антисвязевую часть кулонова интеграла. [4]
Если знак и величина перекрывания между данной конкретной парой орбиталей известны, то результаты в терминах энергии взаимодействия можно представить на диаграмме, называемой диаграммой энергетических уровней. Лучше всего пояснить это на примере молекулы Н2: у каждого атома есть одна орбиталь, а именно ls - орбиталь, достаточно устойчивая, чтобы участвовать в образовании связи. Исследуем теперь возможные способы, какими две ls - орбитали, ф1 и ф2, могут перекрываться, когда два атома водорода сближаются. [5]
 |
Вандерваальсовы радиусы неметаллов ( А. [6] |
Почему знак и величина перекрывания между орбиталями соседних, атомов представляют хорошее указание на то, могут ли атомы образовать связь и как сильно они связаны. [7]
А В8 - л величина перекрывания сохраняется. Используя далее таблицы [209], легко усмотреть что в этом случае будут близки и значения всех интегралов перекрывания. [8]
Этими структурными факторами определяется величина перекрывания орбиталей НП и Л - связи. Она должна быть максимальна при копланарности орбитали л, и pz - орбитали иминного атома азота N, а также при тригональной конфигурации N1, в которой НП занимает чистую р-орбиталь. Таким образом, следствием р-я-сопряжения является стремление всего гидразонного фрагмента к плоской конфигурации. [9]
Его величина зависит от симметрии и величины перекрывания начальной и конечной пространственных ор-биталей. Таким образом, момент перехода является произведением трех отдельных интегралов и равен нулю, если равен нулю хотя бы один из этих интегралов. При этом вероятность перехода также равна нулю. Такой переход называется запрещенным в противоположность разрешенным переходам, для которых момент перехода отличается от нуля. Правила запрета имеют приближенный характер. [10]
Интересны примеры пропена и ацетальдегида; они показывают, как величины перекрывания позволяют заглянуть в процесс вращения. Положительное перекрывание в теории МО соответствует связывающему взаимодействию, а отрицательное перекрывание - несвязному отталкиванию. Как обсуждалось ранее, в наиболее устойчивых конформзциях ацетальдегида и пропена С - Н - связь метальной группы заслоняет двойную связь углерод-кислород или углерод-углерод. [11]
Анизотропия определяется способом упаковки, относительным расположением молекулярных слоев и величиной перекрывания между соседними цепочками молекул. [12]
Их расщепление и здесь обозначается как lOD, только теперь величина этого расщепления обусловлена величиной перекрывания при ковалентном связывании. [13]
Прочность сэндвич-связи определяется числом участвующих в ней многоцентровых двухэлектронных связей, а полярность зависит от величины перекрывания соответствующих АО металла и МО лиганда и от суммарного баланса электронной плотности в составляющих сэпдвич-л-связь двухэлектронпых связях. [14]
Она с успехом применяется к большому числу комплексов переходных металлов в обычных степенях окисления, где величины перекрывания электронных облаков не слишком велики. В тех же комплексах, где перекрывание существенно, методы ТКП и ТПЛ непригодны. [15]
Страницы: 1 2 3