Величина - работа - выход
Cтраница 1
Величины работы выхода из полупроводников отсчитываются от соответствующих уровней Ферми, и, следовательно, eqK Ефр - Ефп. [1]
Величина работы выхода у различных металлов различна. [2]
Величина работы выхода, обратно пропорциональная междуатомному расстоянию, различна для разных металлов. Из чистых металлов наименьшей работой выхода обладают металлы щелочной и щелочноземельной группы, имеющие большее расстояние в пространственной решетке. [3]
Величина работы выхода зависит от свойств вещества, в частности, сил притяжения электронов к ядрам атомов. Дяя каких веществ; металлов или неметаллов - работа выхода имеет меньшее значение. [4]
Величина работы выхода в различных металлах различна и колеблется в пределах нескольких электронвольт. Она очень сильно зависит от состояния поверхности металла, от природы адсорбированных на поверхности атомов и молекул. [5]
Величины работы выхода из полупроводников отсчитываются от соответствующих уровней Ферми, и, следовательно, eqK Ефр - Ефп. [6]
Величина работы выхода у различных металлов различна. [7]
Величина работы выхода не оказывает большого влияния на коэффициент вторичной эмиссии, так Как большинство электронов покидают полупроводники и в особенности металлы со значительными энергиями. Однако наиболее эффективными эмиттерами служат часто те же материалы, которые дают большую термоэлектронную эмиссию, как, например, оксидные катоды. [8]
Величина работы выхода не оказывает большого влияния на коэффициент вторичной эмиссии, так как большинство электронов покидают полупроводники, и, в особенности, металлы со значительными энергиями. Однако напболее эффективными эмиттерами служат часто те же материалы, которые дают большую термоэлектронную эмиссию, как, например, оксидные катоды. [9]
Величины работ выхода некоторых металлов и полупроводников приведены в табл. 1.1. Приведенные в табл. 1.1 данные показывают, что величина контактной разности потенциалов на границе полупроводника и металла и связанное с нею выпрямление могут быть достаточно большими. [10]
 |
Диаграмма энергетических характеристик полупроводникового электрода в условиях фотоэмиссии.| Схема межзонных электронных переходов 1 - прямой переход. 2 - непрямой переход. [11] |
Величина фотоэмиссионной работы выхода w Йсо0 равна, очевидно, 7ш0 Eg х - Здесь Eg - ширина запрещенной зоны; х - разность между уровнем потенциальной энергии электрона вне эмиттера и дном зоны проводимости в кристалле, называемая сродством к электрону. [12]
Величина работы выхода фотоэлектронов зависит не только от свойств металла или полупроводника, но и от напряженности внешнего электрического поля. [13]
Величина работы выхода эмиттера существенно зависит от состояния и структуры его поверхности. Адсорбция чужеродных атомов, создающих покрытия порядка моиомолекулярпого слоя, может заметно повысить или понизить работу выхода и очень сильно изменить термоэмиссионные свойства катода. [14]
 |
Энергетическая диаграмма для границы металл - вакуум.| Энергетическая диаграмма выхода электронов из полупроводника. [15] |
Страницы: 1 2 3 4