Величина - расщепление
Cтраница 3
Величина расщепления Дч очень мала ( - - 10 - 5 и изменение ДХ составляет 0 1 - ьО 05А), однако она достаточно четко обнаруживается на опыте. Для этого требуется, однако, применение оптических приборов с очень большой разрешающей способностью; проведение же самих опытов требует высокой экспериментальной культуры. Трудность этих экспериментов также связана с незначительной интенсивностью рассеянного света. [31]
Величина расщепления термов АЕ может быть измерена спектроскопически. [32]
Величина расщепления полос поглощения кристаллическим полем зависит от нескольких факторов. Особенно существенной является природа лигандов. [33]
Величина расщепления линий водорода в не очень сильных полях пропорциональна полю; в более сильных полях ( выше 105 в / см) обнаруживается дополнительно квадратичная зависимость. Кроме водорода, линейная зависимость величины расщепления от поля наблюдается для водородоподобных атомов, а также для сильно возбужденных уровней др. атомов. [34]
 |
Зависимость частот колебательного спектра аммиака от величин коэффициентов матрицы силовых постоянных Kq и К и постоянной а взаимодействия связи с углом. [35] |
Величина расщепления вырожденного колебания vs при уменьшении Ка сначала постепенно увеличивается, а при дальнейшем уменьшении Kq остается практически постоянной. Частотаколебания YI при асимметричном изменении Kq ( кривые 2 и 3) изменяется вначале медленнее, чем при симметричном ( кривая /), а в дальнейшем наклон этих кривых становится одинаковым. [36]
Величина расщепления вырожденного колебания vs сначала постепенно увеличивается, а затем остается практически постоянной. Частота колебания vi при асимметричном изменении силового коэффициента Kq изменяется вначале медленнее, чем при симметричном возмущении, а в дальнейшем наклон этих кривых становится одинаковым. [37]
Величина расщепления полосы антисимметричных колебаний для натриевой соли полистиролсульфоновой кислоты составляет 38 см 1, в то время как в случае натриевой соли полистиролселеноновой кислоты эта полоса вообще не расщепляется. [38]
Величина расщепления чисто электронного перехода в кристалле ВТМ составляет 10 см-1. Расщепление полосы электронно-колебательного перехода в сочетании с колебанием 940 см - - 1 составляет 5 см-1; во втором обертоне расщепление трудно измеримо. [39]
Величина расщепления полосы антисимметричных валентных колебаний ионов - SOJ и - SeO постепенно убывает с возрастанием степени гидратации. [40]
Величину расщепления d - уровня при образовании октаэдри-ческого комплекса обозначают через А. Эта величина является функцией величины электростатического поля и эффекта взаимодействия 0 - и я-электронов. Слабое поглощение в видимой области спектра, наблюдаемое в случае комплексов ионов переходных металлов, обусловлено переходами между расщепившимися d - уровнями, не вполне разрешенными квантово-механиче-скими правилами отбора. Сначала заполняются электронами rf - орбиты с меньшим значением энергии. При поглощении кванта с энергией, равной расстоянию между расщепленными rf - уров-нями, электрон переходит с нижнего af - уровня на аерхний. Если верхний уровень заполнен, то переход произойти не может и поглощение в видимой области не наблюдается. Так, комплексы цинка, имеющего 10 of - электронов, не окрашены. [41]
 |
Спектры ЭПР радикалов I, 1 II и III. [42] |
Величину расщепления в сверхтонкой структуре спектра, которая наблюдается в том случае, когда электрон все время локализован на определенном атоме, можно рассчитать из теоретических соображений. [43]
Когда величина расщепления в кристаллическом поле превышает энергию межэлектронного отталкивания, четыре d - электрона будут спариваться на орби-талях с наиболее низкой энергией, результатом чего будет существование комплекса с одним неспаренным электроном. Заметим, что исследованные до сих пор низкоспиновые комплексы с конфигурацией d5 можно разделить на две группы. [44]
Когда величина расщепления в кристаллическом поле превышает энергию межэлектронного отталкивания, четыре d - злектрона будут спариваться на орби-талях с наиболее низкой энергией, результатом чего будет существование комплекса с одним неспаренным электроном. Заметим, что исследованные до сих пор низкоспиновые комплексы с конфигурацией d5 можно разделить на две группы. [45]
Страницы: 1 2 3 4