Величина - расщепление
Cтраница 4
 |
Дублетная и изотопная структура линии.| Блок-схема установки. [46] |
А величина изотопного расщепления практически равна дублетному расщеплению этой линии. [47]
Если величина расщепления ДЯ, вызываемого магнитным полем, велика по сравнению с дублетным расщеплением уровней, то магнитное поле называют сильным. В таком магнитном поле разрывается связь спинового и орбитального моментов количества движения, и они взаимодействуют с магнитным полем независимо. [48]
Расчет величины расщепления вырожденных состоя ний шт - типа в N-гетероциклах был проведен Эль-Саидо. N вследстви кулоновского притяжения этого электрона и возникше положительной дырки. Обе модели предска зывают увеличение расщепления состояний пя - тип с уменьшением расстояния между атомами N, величин которого должна быть различна для 6ПЯ - и Г я - состояний Теоретический расчет интенсивности пл - полос в спек трах N-гетероциклов проведен Оргелом285, Платтом51, Гуд маном и Шулом286, Гудманом и Харрелом49; в работ Гудмана48 сделан обзор. [49]
Эту величину расщеплений а английский физик То-ундсен, который первый предложил количественную теорию разряда в газах, назвал коэффициентом ударной ионизации. [50]
Часто величину расщепления А измеряют в единицах Dq ( мера силы кристаллического поля), произвольно полагая, что Д 10 Dq. Расщепление происходит так, что часть уровней понижается относительно первоначального состояния, принятого за начало отсчета, а другая часть уровней повышается. Относительные изменения энергии таковы, что средняя энергия расщепленных d - уровней остается неизменной. Алгебраическая сумма энергий всех пяти d - уровней равна нулю, что соответствует положению нерасщепленных d - уровней в изолированном атоме. [51]
На величину расщепления уровней энергии кристаллическим полем влияют заряд центрального иона и тип имеющихся у него - электронов. С возрастанием заряда иона значение Д увеличивается, так как лиганды ближе подходят к иону и, следовательно, вызывают большее расщепление rf - уровня. В подгруппах rf - элементов при переходе от 4-го к 5-му и в особенности к 6-му периодам значение А однотипных комплексов заметно возрастает. [52]
На величину расщепления уровней энергии кристаллическим полем влияет степень окисления центрального атома и тип имеющихся у него d - электронов. С увеличением степени окисления d - элемента ( возрастания заряда иона) А увеличивается, так как лиганды ближе подходят к центральному иону и, следовательно, вызывают большее расщепление d - уровня. В подгруппах d - элементов при переходе от 4-го к 5-му и в особенности к 6-му периоду А однотипных комплексов заметно возрастет. Это объясняется тем, что 4d - и Sd-орбитали простираются в пространстве дальше от ядра, чем Зс ( - орбитали. [53]
На величину расщепления уровней энергии кристаллическим полем влияет степень окисления центрального атома и тип имеющихся у него d - электронов. С увеличением степени окисления d - элемента ( возрастания заряда иона) А увеличивается, так как лиганды ближе подходят к центральному иону и, следовательно, вызывают большее расщепление d - уровня. В подгруппах d - элементов при переходе от 4-го к 5-му и в особенности к 6-му периоду А однотипных комплексов заметно возрастет. Это объясняется тем, что 4d - и Sd-орбитали простираются в пространстве дальше от ядра, чем Sd-орбитали. Это отвечает более сильному отталкиванию электронов и лигандов и соответственно большему расщеплению 4d - и Ы - уровней по сравнению с Sd-уровнем. [54]
При этом величина расщепления между невырожденными и трехкратно вырожденными зонами в точке Г равна 2BiA 2J3ic ( аналогично полной ширине валентной зоны) и оказывается очень малой. Это подтверждается и точным видом энергетических зон, показанных на рис. 6.1, и фактически в кремнии В является положительным, хотя В отрицательно. [55]
Так как величина расщепления, а следовательно, и соотношение интенсивностеи компонент зависит от ориентации, то регистрируются спектры для различной ориентации монокристалла относительно выбранной оси. Проанализировав эти изменения относительно всех осей выбранной системы, можно определить тензор СТ-взаимодействия. С - Н - связи, то для адгротона тензор СТ-взаимодействия должен быть диагональным. Недиагональные тензоры диагонализируются с помощью матрицы преобразования. [56]
 |
Спектр парамагнитного резонанса фторсиликата никеля. [57] |
Характер и величина расщепления энергетических уровней, как правило, различны для различных углов между какой-либо кристаллографической осью и направлением внешнего магнитного поля. [58]
Страницы: 1 2 3 4