Cтраница 2
Частное от деления величины тока через миллиамперметр на величину тока базы позволит оценить коэффициент р Ток базы находят как частное от деления напряжения батареи на сопротивление резистора. [16]
![]() |
Температурная зависимость i / p для германиевых транзисторов. [17] |
Как видно из приведенных кривых, температурный дрейф Up зависит от величины тока базы. Интересно отметить, что токи базы, оптимальные с точки зрения температурной стабильности остаточного напряжения, в общем случае не равны токам базы, оптимальным для получения l / p mjn в обычных условиях. Лишь для транзисторов типа ПЗО п МП41А величины этих токов совпадают. [18]
На рис. 8.21 приведены экспериментальные кривые зависимости времени выключения транзистора от величины запирающего тока базы для разных значений тока коллектора. Таким образом, положительное смещение в базе, во-первых, обеспечивает надежное запирание транзистора при максимальной рабочей температуре во-вторых, сокращает время выключения транзистора. [20]
![]() |
Схема для подбора транзисторов с идентичными.| Схема подбора транзисторов с идентичными значениями параметра / С. / / / в. Значения Kt измеряют при токах коллектора / к 5 ма и 50 ма. [21] |
При этом микроамперметр, включенный в базовую цепь транзистора, покажет величину тока базы / в, а отношение / к / / в будет характеризовать коэффициент усиления по току Рст транзистора в схеме с общим эмиттером. [22]
![]() |
Транзистор с ОБ ( а, транзистор, включенный с ОБ, как транзистор с ОЭ и полной параллельной отрицательной обратной связью по току ( б. [23] |
Так как переменная составляющая тока коллектора меньше переменной составляющей тока эмиттера ( на величину тока базы), при включении с общей базой ( ОБ) транзистор не иливает входной ток сигнала, а усиливает лишь напряжение сигнала; из рис. 3.9 а, на котором обозначены направления токов и напряжений сигнала во входной и выходной цепях, видно, что при включении с общей базой транзистор не меняет полярности усиливаемых сигналов. [24]
Заметим попутно, что полной отсечке эмиттерного тока ( L0 0) и величине тока базы / Р0 - / К0 соответствует Vfo 0 05 - - 0 1 в обратного напряжения. [25]
![]() |
Влияние температуры на.| Влияние температуры на. [26] |
Кривые, отражающие температурное изменение U0, при / 6 const, хорошо иллюстрируют высказанное соображение о зависимости температурной стабильности UOI от величины тока базы открытого транзистора. [27]
В открытом состоянии транзистора Т2 небольшой ток источника смещения протекает по цепи: 12 В, R8, Т2, О В - и незначительно уменьшает величину тока базы. [28]
![]() |
Осциллограммы напряжения коллектор - эмиттер и тока коллектора мощного транзисторного ключа. [29] |
Если условие насыщения должно выполняться в широких пределах изменений токов коллекторов, то для обеспечения наибольшего значения тока / к при наименьшем значении величины Л21э необходимо, чтобы величина тока базы была достаточно большой. В случае, если ток / б слишком мал, чтобы ввести транзистор в режим насыщения, мощность рассеяния на коллекторе может превысить максимально допустимое значение. Однако, если ток / б соответствует или больше максимальной величины / к макс / э мин, то при средних значениях тока / к ( нормальный режим работы двигателя) предварительный усилитель работает неэкономично. [30]