Величина - ток - база
Cтраница 4
Определяем амплитуду тока коллектора транзистора преобразователя - / к макс - В схемах рис. 6.1 а, 6.2, как только сердечник трансформатора входит в насыщение, индуктивное сопротивление первичной обмотки резко уменьшается, ток коллектора открытого транзистора начинает увеличиваться и рабочая точка транзистора входит в активную область. Максимальное значение тока коллектора / к макс зависит от величины тока базы транзистора и статического коэффициента усиления по току В. [46]
 |
Общая схема устройства прибора типа р-п-р-п. [47] |
Указанное значение сопротивления нагрузки было выбрано для иллюстрации процесса отключения прибора при помощи тока базы. При меньших значениях сопротивления нагрузки, встречающихся иа практике, величина тока базы, требуемая для отключения цепи, была бы, конечно, существенно выше. [48]
 |
Характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером. а - выходные. б - входные. [49] |
Точно так же ток коллектора, направленный во внешней цепи от коллектора к эмиттеру, откладывается вверх по вертикальной оси. Далее характеристики, снятые при постоянной для каждой из них величине тока базы, образуют возрастающее семейство, сходное с семейством анодных характеристик пентода. [50]
 |
Динамический режим работы транзистора. [51] |
БЭ крутизна характеристик уменьшается, они идут почти параллельно оси абсцисс. Положение каждой из выходных характеристик зависит, главным образом, от величины тока базы. [52]
Чем больше ток базы, тем больше ток эмиттера и коллектора, причем величина тока базы обычно в десятки раз меньше тока коллектора и эмиттера. Таким образом, достаточно изменить ток базы на небольшую величину, как произойдет значительное изменение тока двух других электродов. Именно это интересное свойство транзисторов и используется для усиления слабых сигналов. [53]
В формуле ( 2) направление кажущегося базового тока принято за положительное. Определим статический коэффициент усиления транзистора при лавинном пробое как отношение коллекторного тока к величине кажущегося тока базы. [54]
Нагрузочная способность ( т) ПТТЛ-элемента весьма высока. Это объясняется, с одной стороны, малым выходным сопротивлением эмит-терных повторителей и, с другой - малой величиной тока базы входных транзисторов последующих элементов, работающих в активном режиме. Последнее обстоятельство приводит к тому, что статическая нагрузочная способность здесь оказывается весьма большой. Однако при увеличении т растет емкостная нагрузка на элемент, что приводит к снижению быстродействия. Следует заметить, что дальнейшее повышение нагрузочной способности ( до т 100) может быть достигнуто применением в выходных эмиттер-ных повторителях, не одного, а нескольких параллельно включенных транзисторов. [55]
Поскольку напряжение относительно постоянно, ток через сопротивления также относительно постоянен. Ток эмиттера транзистора 1 равен току в Ь и Л 2, но ток коллектора будет меньшим на величину тока базы В. [56]
Возрастание коэффициента усиления приводит к повышению чувствительности триггера. Рост / ко вызывает снижение напряжения на запертом транзисторе ( за счет увеличения падения напряжения на RK) и, следовательно, снижение величины тока базы открытого транзистора. В целом это ухудшает стабильность триггера и снижает амплитуду выходного импульса. [57]
 |
Схема цепи постоянного. [58] |
Управляющее напряжение, подаваемое на базу с делителя Rt, Rt ( рис. 3.24), пропорционально выходному напряжению соответствующего плеча и при увеличении последнего открывает триод. Если при максимальном токе плеча соответствующий триод будет полностью открыт, то, пренебрегая током, протекающим через делитель, можно сказать, что максимальный ток в нагрузке отличается от максимального тока плеча на величину тока базы ia i1 - J6 и будет тем ближе к нему, чем выше коэффициент усиления триода по току. [59]
База транзистора обычного типа, работающего в усилителе или генераторе сигналов, выполняет функции управляющей сетки, эмиттер - функции катода и коллектор - анода электронной лампы. Вместе с тем режим работы транзистора существенно отличается от режима электронной лампы: она может работать без тока в цепи управляющей сетки, причем для большинства ламповых усилительных схем этот ток вреден, а транзисторы работоспособны только при условии, что в цепи базы или иного управляющего электрода течет ток. Величина тока базы маломощных транзисторов обычно порядка сотых или десятых долей миллиампера, она достигает нескольких миллиампер только при их использовании в оконечных усилительных каскадах и в переключающих устройствах. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5