Cтраница 5
Время рассасывания tv определяется как интервал времени между моментом подачи на базу насыщенного транзистора запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе достигает уровня 0 1 Ек. Рассасывание неравновесных носителей производится в основном за счет поверхностной и объемной рекомбинации. Ток базы при этом может значительно превышать величину тока базы в режиме отсечки. [61]
Рабочая точка транзистора перемещается из области отсечки в область насыщения через активную область. В интервале t - 12 за время включения вкл ток коллектора достигает значения / кцмин. Вкл зависит от частотных свойств транзистора и от величины тока базы. Ток диода в этом интервале времени уменьшается. [62]
Основная часть этих носителей, проходя через коллекторный переход, снижает его сопротивление, в результате чего внутреннее сопротивление транзистора постоянному току уменьшается и коллекторный ток возрастает. При достаточно большом значении резистора RK падение напряжения, создаваемое на нем коллекторным током, будет в десятки раз превосходить величину напряжения, подаваемого на вход. А поскольку величина коллекторного тока, примерно равная току эмиттера, во много раз превышает величину тока базы, в такой схеме происходит большое усиление по току и еще больше по мощности. [63]
Из последних двух выражений видно, что ток базового вывода транзистора в десятки раз меньше тока двух его других электродов. В самом деле, благодаря тому, что величины токов всех трех электродов транзистора однозначно связаны между собой, мы, изменяя каким-либо способом величину тока базы транзистора, обнаружим, что его коллекторный ток меняется при этом в десятки раз сильнее. [64]
Исследуемый транзистор, источники питания, измерительные приборы и потенциометры соединяют по схеме рис. 9.1. После проверки схемы приступают к ее опробованию. Для этого с помощью потенциометра R2 устанавливают напряжение коллектор - эмиттер U порядка 50 - 60 % от наибольшего значения этого напряжения для исследуемого транзистора. Поддерживая это напряжение неизменным, изменяют напряжение И § а ( с помощью потенциометра R) и следят за показаниями прибора, измеряющего ток базы / в - Величина тока базы должна изменяться в пределах, достаточных для снятия входной характеристики транзистора. Затем проверяют возможность снятия выходной характеристики. Для этого устанавливают движок потенциометра RI в среднее положение, замечают значение тока базы / б и поддерживают его неизменным. Этот ток должен плавно изменяться в достаточно широких пределах, позволяющих снять выходную статическую характеристику транзистора. [65]
В первом случае по RH протекает ток эмиттера регулирующего транзистора, во втором - ток коллектора. В то же время схема сравнения поддерживает постоянным ток эмиттера, протекающий через эталонное сопротивление. Следовательно, при стабильном эталонном напряжении ( а соответственно и токе эмиттера), ток нагрузки в точках 2 и 3 будет отличаться от стабильного тока эмиттера на величину тока базы, изменение которого не охвачено обратной связью. [66]
Практически было бы трудно выполнить надежный расчет для предельных условий. Схема слишком чувствительна к изменениям напряжения база - эмиттер. Транзистор с большим напряжением на базе может не включиться полностью, так как ток, обеспечиваемый входным сопротивлением схемы и, иногда непропорционально ответвляется в цепочку R L, и величина тока базы недостаточна. Кроме того, коэффициент разветвления слишком мал, так как ток, текущий через сопротивления схемы и, должен быть значительно увеличен. [67]
Транзистор Т2 закрывается и создает электрическую цепь делителя напряжения третьего каскада: 12 В, R8, R7, R2, - 12 В. Падение напряжения на резисторе R8 создает отрицательный потенциал базы по отношению к эмиттеру транзистора ТЗ. Транзистор ТЗ открывается и создает электрические цепи тока: коллектора: О В, ТЗ, обмотка реле, - 12 В; базы: О В, ТЗ, R7, R2, - 12 В; источника смещения: 12 В, R8, ТЗ, О В. Встречный ток источника смещения значительно меньше величины тока базы открытого транзистора ТЗ. [68]
ЗОа) состоит из составяого регулирующего транзистора TU, TIZ, дросселя Др, емкости Са коммутирующего диода Дг и схемы управления регулирующим транзистором. В момент t в цепь базы закрытого транзистора Т подан импульс тока, достаточный для насыщения цепи Коллектора. Рабочая точка транзистораг перемещается из области отоечки в область насыщения за время / ю которое зависит от - величины тока базы ( Л / бои) и частотных свойств транзистора. IB дросселе Др, ток диода иг - 1д2 уменьшается, напряжение на. [69]
Транзисторы V5 и V2 также находятся в активном режиме и, так как коллектор транзистора V2 соединен с базой этого же транзистора, напряжение UK. В соответствии с выработанными выше рекомендациями необходимо по возможности уменьшать ток баз этих транзисторов. При этом необходимо, чтобы сохранялся большой коэффициент усиления по току и параметры транзистора были стабильны. Учитывая, что в настоящее время для современных пленарных транзисторов величина неуправляемого обратного-тока при комнатной температуре меньше 1 нА, названные величины токов базы близки к минимально допустимым при использовании биполярных транзисторов. В микротоковом режиме величина входного и выходного сопротивления значительно выше. Важно отметить, что каскад при подаче входного сигнала к первому входу UBXI, не инвертирует выходного сигнала, а при подаче сигнала на второй вход инвертирует его. Это важное свойство особенно сильно проявляется при необходимости охвата усилителя в целом положительными и отрицательными ОС. Расчет коэффициента усиления по напряжению [ формула (4.89) ] показывает, что можно получить коэффициент усиления каскада / С - 1000 при использовании высокоом-ного сопротивления нагрузки, которая подключается параллельно выходному зажиму ивых. [70]