Cтраница 1
Величина темнового тока является важным фактором для некоторых измерительных схем. Фотоэлектрический катод, даже если он не освещается светом, обладает спонтанной термоэлектронной эмиссией. [1]
Величина темнового тока, обычно не превышающая один микроампер, заклеит от скорости образования первичных ионов и от скорости их отвода. Первое связано с интенсивностью ионизирующего излучения, второе - с величиной напряжения U между электродами. Зависимость между напряжением и темновым током представлена графически участком Оаб на рис. 2.18. Постоянство величины темнового тока на участке аб показывает, что уже в точке а скорость отвода первичных ионов становится равной скорости их образования. [2]
Величина темнового тока, являясь параметром ФЭУ, обязательно указывается при определенном режиме работы фотоумножителя. [3]
![]() |
Схема включения фототранзистора. [4] |
Величина темнового тока фотодиодов составляет 10 - 20 мка для германиевых и 1 - 2 мка для кремниевых диодов. Интегральная чувствительность фотодиодов имеет порядок нескольких десятков ма / лм. С увеличением температуры интегральная чувствительность фотодиодов возрастает приблизительно на 0 3 - 1 % на градус. [5]
![]() |
Искажение формы и амплитуды выходного сигнала фототока при различных соотношениях постоянной времени приемной системы ( т и частотой модуляции светового сигнала ( /. [6] |
Важной характеристикой фотоэлементов является величина темнового тока гт. [7]
Важным параметром фотоэлектронных умножителей является величина темнового тока, протекающего в анодной цепи в рабочем режиме при полном затемнении умножителя. [8]
При непродолжительных измерениях, во время которых величина темнового тока не изменяется, можно не вводить эту величину в память МПС при каждом измерении. [9]
![]() |
Роль проводимости Sb - Cs-фото-катода. Изменение фототока ФЭУ-5819 во времени при различных значениях фиксированных температур. [10] |
Другими факторами, оказывающими влияние на постоянство величины темнового тока и чувствительности фотоумножителя являются предварительное облучение фотокатода различными излучениями, в том числе интенсивным световым потоком, при включенном питании фотоумножителя и изменение проводимости слоя у фотоумножителей с полупрозрачными фотокатодами. [11]
Из приведенного рассмотрения ясно, что для уменьшения величины темнового тока следует либо понижать температуру, либо использовать для изготовления фотодиодов вещества с более широкой запретной зоной. [12]
Порог чувствительности фотометра имел различные значения в зависимости от типа фотоумножителя, величины темнового тока и условий применения ( с охлаждением или без охлаждения); при отношении напряжения сигнала к напряжению помехи, равном 2, он лежал в пределах 10-и - 10 - 13 лм. [13]
![]() |
Зависимость светового эквивалента темнового тока от напряжения питания. [14] |
В зависимости от напряжения на ФЭУ каждая из этих составляющих по-разному влияет на величину темнового тока. Обычно различают три области ( рис. 22): / - при низких напряжениях основной вклад в величину темнового тока дают токи утечки, / / / - при высоких напряжениях темновой ток обусловлен автоэлектронной эмиссией и обратными связями; рабочей областью ФЭУ является область II, в которой изменение величины темнового тока с напряжением пропорционально изменению анодной чувствительности. [15]