Cтраница 2
![]() |
Зависимость светового эквивалента темнового тока от напряжения питания. [16] |
В зависимости от напряжения на ФЭУ каждая из этих составляющих по-разному влияет на величину темнового тока. Обычно различают три области ( рис. 22): / - при низких напряжениях основной вклад в величину темнового тока дают токи утечки, III - - при высоких напряжениях темновой ток обусловлен автоэлектронной эмиссией и обратными связями; рабочей областью ФЭУ является область / /, в которой изменение величины темнового тока с напряжением пропорционально изменению анодной чувствительности. [17]
Отсюда следует, что основными параметрами, определяющими пороговую чувствительность ФЭУ, являются квантовый выход фотокатода и величина темнового тока. [18]
Темновой ток мешает производить измерения не только потому, что величина фототока может оказаться малой по сравнению с величиной темнового тока, но также главным образом потому, что-имеют место флуктуации темнового тока и поэтому измерения будут производиться с недостаточной точностью. [19]
![]() |
Спектр - шума фотодиода из антнмонида индия. [20] |
При обнаружении малых световых сигналов, промодулирован-ных с высокой частотой, пороговая чувствительность фотодиода в значительной степени зависит от величины темнового тока, обусловливающего в данном случае дробовой шум. [21]
![]() |
Зависимость статического сопротивления от температуры.| Зависимости величин темнового тока германиевого и кремниевого фотодиодов от температуры при F 0 005 лм ( кривые / и Р0 ( кривые 2. [22] |
При обнаружении малых световых сигналов, промо-дулированных с высокой частотой, пороговая чувствительность фотодиода в значительной степени зависит от величины темнового тока, определяющего в данном случае дробовой шум. [23]
Выбор схемы фотометра существенным образом зависит от типа применяемого умножителя и, в частности, от его интегральной чувствительности, величины темнового тока, сопротивления изоляции анода. Роль темнового тока и электрических флюктуации рассматривалась в главах V и VII, а способы компенсации темнового тока и ограничения электрических флюктуации приведены в главах IX, X и XI, посвященных применению фотоумножителей. [24]
Эксперименты, проведенные с охлаждением фотоумножителей ФЭУ-19М показали, что в отдельных случаях охлаждение фотокатода не приводит к ожидаемому снижению величины темнового тока. [25]
Сравнение полученных экспериментально темновых вольт-амперных характеристик с теоретическими, построенными в соответствии с выражением ( 6 - 1), показывает, что у большинства фотодиодов линейный участок темновой вольт-амперной характеристики не параллелен оси напряжений, а величина темнового тока возрастает с увеличением приложенного напряжения. [26]
![]() |
Зависимость составляющих темнового тока от величины напряжения питания фотоумножителя. [27] |
Величина темнового тока является характерной для каждого экземпляра ФЭУ и существенно зависит от его рабочего напряжения. [28]
![]() |
Схемы включения фотодиодов. [29] |
Темновая вольтамперная характеристика фотодиода аналогична характеристике обычного диода. Величина темнового тока растет с ростом температуры, однако динамические характеристики мало зависят от нее. При малых освещенностях фототек пропорционален световому потоку, поэтому диоды можно с успехом применять в фотометрии. Частотная характеристика линейна до 3 - 4 кгц. [30]