Cтраница 3
При измерении слабых потоков следует учитывать темновой ток через фотоэлемент при полном затемнении. Величина темнового тока определяется током утечки и достигает 10 - 7 - 10 - 8 А. [31]
Темновым током называется ток в цепи анода в полной темноте. Величина темнового тока сильно зависит от температуры jT АТ2е - еч1 г, где Л - некоторая константа, Т - абсолютная температура, еу - работа выхода, k - постоянная Больцмана. При охлаждении фотокатодов от 0 С до - 160 С темновой ток может уменьшиться на шесть порядков. [32]
![]() |
Зависимость составляющих темнового тока от величины напряжения питания фотоумножителя. [33] |
Величина темнового тока является характерной для каждого экземпляра ФЭУ и существенно зависит от его рабочего напряжения. [34]
При прохождении ядерных частиц через коронирующий разрядный нромежуток п нем возникают импульсы тока, пропорциональные первичной ионизации. При этом импульсы сильно отличаются от величины темнового тока если ионизация вызвана а-частицами или протонами, и почти не отличаются, если счетчик облучать ( 3-частицами. [35]
В первую очередь изменение температуры сказывается на величине темнового тока. [36]
![]() |
Зависимость темнового тока германиевого ( а и кремниевого ( б фототранзисторов. [37] |
Изменение температуры в первую очередь сказывается на величине темнового тока и чувствительности фототранзисторов. С ростом температуры чувствительность фототранзисторов увеличивается. На рис. 9.41 представлены типичные зависимости темнового тока германиевых и кремниевых фототранзисторов. С повышением температуры у германиевых фототранзисторов скорость роста темнового тока падает до 10 % / С. Выходной ток фототранзисторов в меньшей мере зависит от температуры. Так, для кремниевых фототранзисторов изменение тока коллектора в диапазоне температур от - 50 С до 125 С составляет при малых токах ( около миллиампера) примерно 0 02 мА / С, при токе десятки миллиампер - 0 17 мА / С. Германиевые фототранзисторы работают в диапазоне температур от - 50 С до 75 С. [38]
![]() |
Типовые зависимости темнового тока кремниевых ( а и германиевых ( б фотодиодов от температуры окружающей среды. [39] |
В первую очередь изменение температуры сказывается на величине темнового тока. [40]
![]() |
Структура кремниевого плаиар - [ IMAGE ] Конструкции фотогран-ного фототранзистора зисторов. [41] |
Изменение температуры в первую очередь сказывается на величине темнового тока и чувствительности фототранзисторов. С ростом температуры чувствительность фототранзисторов увеличивается. С повышением температуры у германиевых фототранзисторов скорость роста темнового тока составляет 10 % / К. Выходной ток фототранзисторов в меньшей мере зависит от температуры. Так, для кремниевых фототранзисторов изменение тока коллектора в диапазоне температур от - 50 до 125 С составляет при малых токах ( около миллиампера) пример но 0 02м А / К, при токе в десятки миллиампер - 0 17 мА / К - Германиевые фототранзисторы работают в диапазоне температур от - 50 до 75 С. [42]
Для полупроводниковых фотоприемников ток, протекающий по цепи, состоит из двух составляющих: тока, генерируемого в результате поглощения света фотоприемником, и темнового тока. В волоконно-оптических измерительных системах можно добиться условий, когда величина темнового тока будет пренебрежительно малой в сравнении с фототоком. [43]
Для создания достаточно простой и надежно работающей, схемы и для получения максимального сигнала с фотоприемника дрейф темнового тока должен быть ограничен. Однако у германиевых фотодиодов с большой светочувствительной площадью уменьшение величины начального темнового тока и его роста с температурой связано с большими технологическими трудностями. Для получения максимально возможного сигнала необходимо увеличение JRH в схеме питания ( рис. 1), но это еще больше повышает критичность схемы к росту темнового тока. Реальной возможностью уменьшить влияние дрейфа темнового тока является компенсация изменения динамического диапазона. [44]
Как указывалось, темновой ток возрастает с повышением температуры. Для германиевых фотодиодов уже при температуре 233 - 243 К величина темнового тока достигает значения, при котором может наступить пробой р-п перехода. Для кремниевых фотодиодов эта температура значительно выше и составляет примерно 420 К. Максимальное значение температуры, при которой фотодиод еще сохраняет свои свойства, будем называть допустимой температурой. Этим параметром следует руководствоваться при выборе режима работы фотодиода - сумма температуры среды, в которой находится фотодиод, и перегрева, вызванного протекающим через фотодиод током, не должна превышать допустимой температуры. [45]