Cтраница 1
Величина коллекторного тока в обратном направлении практически не зависит ни от величины, ни от полярности эмит-терного тока, так как коллекторный диод полностью открыт. [1]
Величина коллекторного тока при / э 0 определяется количеством основных носителей ( дырок), инъецируемых из эмиттера в базу и достигающих коллектора. [2]
Величина коллекторного тока триода обусловлена в основном величиной тока эмиттера, поэтому на коллекторном переходе может рассеиваться значительная мощность, приводящая к сильному разогреву. Если отвод тепла от перехода не обеспечен, переход может нагреться до такой температуры, при которой возможен разрыв связей за счет теплового возбуждения. [3]
Такая величина коллекторного тока соответствует рабочей точке А на рис. 7.20, а. При дальнейшем увеличении тока базы ток коллектора практически Остается неизменным. [5]
![]() |
Упрощенная схема цепей питания по постоянному. [6] |
Правда, величина коллекторного тока может колебаться в зависимости от изменения температуры, а также при смене транзисторов. [7]
![]() |
Зависимости коэффициента усиления по току ( 3f от коллекторного тока ( / с для биполярного транзистора NEC, 2SC 960. Fce 5 В. [8] |
Определим приближенно величину коллекторного тока, при котором проявляется эффект Кирка. Концентрация электронов при протекании тока / с определяется выражением Ic / Sqvs. [9]
Коэффициент усиления Т3 зависит от величины коллекторного тока, и поэтому он существенно изменяется при изменении сигнала от пика до пика-в этом проявляется нелинейность схемы. В следующем разделе приводятся значения коэффициента усиления для трех значений выходного напряжения. [10]
Величина U6a слабо зависит от величины коллекторного тока. Зависимость 6 би / ( / б) почти линейная, но она начинается не от начала координат, в результате чего погрешность измерения U u меньше погрешности установки базового тока. [11]
Коэффициент усиления Т3 зависит от величины коллекторного тока, и поэтому он существенно изменяется при изменении сигнала от пика до пика - в этом проявляется нелинейность схемы. В следующем разделе приводятся значения коэффициента усиления для трех значений выходного напряжения. [12]
Влияние рекомбинации в базе на величину коллекторного тока учитывается коэффициентом переноса дырок ] 5 / к. [13]
![]() |
Подача напряжения смещения на транзисторы типов p - n - р и п-р - п. [14] |
Эмиттерный ток как бы управляет величиной коллекторного тока, н поэтому транзистор правильнее считать прибором, управляемым по току, в отличие от лампы, которая управляется напряжением. [15]