Cтраница 4
Режимы транзисторов определяются токами базы и коллектора; при этом от тока базы зависит ток коллектора. В описаниях транзисторных приемников вместо напряжений указывают величины коллекторных токов каскадов. Для измерения этих токов желательно применять миллиамперметры ПМ-70 с конечными значениями шкалы 5 - 7 5 и 25 - 50 ма. Авометры 1Т - 1 и Ц-20 при работе их в качестве миллиамперметров имеют значительные внутренние сопротивления и падение напряжения на них при полном отклонении стрелки составляет 0 8 - 1 2 в. [46]
Полезно иметь универсальные кривые времени включения для различных коэффициентов насыщения в зависимости от времени включения при единичном насыщении для разных транзисторов. Однако незакономерное изменение ( Зо с изменением величины коллекторного тока делает это невозможным. [47]
![]() |
Схема ограничителя ( а и определение токов ( б. [48] |
Величина тока в цепи коллектора при отсутствии тока во входной цепи определяется по пересечению нагрузочной линии с выходной характеристикой, соответствующей / в0 ( точка А на рис. 11.286) - режим отсечки. При подаче на базу положительного импульса тока / БПР величина коллекторного тока определяется но пересечению нагрузочной линии с выходной характеристикой, соответствующей току базы / Бпр ( точка Б), - режим насыщения. [49]
Для улучшения ключевых свойств при малых токах может применяться инверсное включение транзистора. Целесообразность прямого или инверсного включения определяется типом применяемого транзистора, величиной коллекторного тока и особенностями схемы. [50]
![]() |
Схема распределения токов между электродами транзистора. [51] |
На рис. 3 изображена реальная схема включения транзистора, в которой к нему подведены оба напряжения одновременно. Изменяя положение движка см переменного сопротивления R, можно управлять величиной коллекторного тока транзистора. [52]
На рис 5Л е изображен усилитель, работающий в режиме класса А с дополнительной симметрией, с общей точкой в эмиттере, в котором входной сигнал прикладывается одновременно к двум базам, а выходной сигнал снимается с двух коллекторов, соединенных параллельно. В этом усилителе определенное изменение входного сигнала в цепи базы приводит к возрастанию величины коллекторного тока одного кристаллического триода и к уменьшению коллекторного тока другого кристаллического триода, тем самым обеспечивается двухтактный режим работы с сопутствующими ему преимуществами в части уничтожения четных гармоник. [53]
Температурный коэффициент напряжения база-эмиттер незначительно зависит от коллекторного тока. На основании этого можно несколько уменьшить дрейф напряжения разбаланса дифференциального усилителя путем выбора величин коллекторных токов, незначительно отличающихся друг от друга. Однако при этом напряжение разбаланса нельзя регулировать путем изменения коллекторных токов, так как может увеличиться дрейф. [54]
В частности, граничная концентрация р ( 0) на инжектирующем контакте ( коллекторе) оказывается значительно выше, чем при нормальном включении, для одного и того же тока. Дифференцируя ( 4 - 127а) по х, подставляя производную dpi Ах в выражение ( 1 - 73а), полагая к w и умножая на площадь S, получаем величину коллекторного тока. [55]
Основная часть этих носителей, проходя через коллекторный переход, снижает его сопротивление, в результате чего внутреннее сопротивление транзистора постоянному току уменьшается и коллекторный ток возрастает. При достаточно большом значении резистора RK падение напряжения, создаваемое на нем коллекторным током, будет в десятки раз превосходить величину напряжения, подаваемого на вход. А поскольку величина коллекторного тока, примерно равная току эмиттера, во много раз превышает величину тока базы, в такой схеме происходит большое усиление по току и еще больше по мощности. [56]
При расчете необходимо сразу выбрать коллекторный ток включенного транзистора. Максимальное предельное значение коллекторного тока, приводимое в паспортных данных, равно 15 ма. Если выбрать величину коллекторного тока слишком малой, обратные токи диодов достигнут величины тока, переключаемого транзистором. [57]
![]() |
К определению режима транзистора по заданным величинам сопротивлений схемы. [58] |
Предположим, что в схеме применен германиевый транзистор. Мы пока не знаем величину коллекторного тока и должны его определить, поэтому принимаем UBE близким к среднему возможному значению UBE - 0 2 В. [59]
![]() |
Схема ионизационного манометра.| Схема теплового манометра. [60] |