Величина - коллекторный ток
Cтраница 2
Режим питания второго каскада определяется величиной коллекторного тока первого транзистора и сопротивлениями нагрузки первого и второго каскадов. [16]
Коэффициент усиления по току зависит от величины коллекторного тока, поэтому при расчете R необходимо подставлять то значение Pmin, которое соответствует максимальному коллекторному току транзистора выбранного типа. [17]
Имеет место заметное сужение зоны разброса величины коллекторного тока. Следовательно, если не учитывать этого, а также наблюдаемого по данной причине сужения поля допуска параметров усилителей, то при проектировании вводится избыточный запас прочности, существенно занижающий показатели устройств на полупроводниковых приборах по сравнению с достижимыми на реальных образцах, что особенно ощутимо для узлов и деталей микроэлектроники. [18]
Входное сопротивление Лвх транзистора гиперболически зависит от величины коллекторного тока / к: при малых токах оно весьма велико, а с увеличением тока падает вначале резко, а затем медленно. [19]
Для уменьшения влияния температурного изменения ICBO на величину коллекторного тока применяют схемы стабилизации рабочей точки. Эти схемы, уменьшающие коэффициент нестабильности S, уменьшают также влияние изменения hne и UBE на коллекторный ток. [20]
Для каждого типа транзисторов техническими условиями строго нормированы величины предельно допустимого коллекторного тока / к доп и напряжения коллектор - эмиттер UK доп - Эти значения ни в коем случае не должны быть превышены при эксплуатации транзисторов, поэтому возможность применения транзистора определяется условиями: / кт к дот УКЭ макс кэ доп. [21]
 |
Схема установки режима с отдельным источником смещения. [22] |
Сопротивление Ri в цепи эм ттера, определяющее величину коллекторного тока, необходимо блокировать конденсатором большой емкости. [23]
Величины р и Р2, как известно, зависят от величин коллекторных токов и при малых токах близки к нулю. PiPa становится большим единицы. [24]
Эта величина, как известно, достигает максимума при некоторой величине коллекторного тока, которая может быть найдена с помощью статических характеристик полупроводникового триода. [25]
Восполнение потерь энергии колебательного контура осуществляется при помощи транзистора Т, величина коллекторного тока которого регулируется напряжением, подаваемым на базу от катушки обратной связи LO. [26]
Эффект влияния сопротивления базы г на характер управления транзистором зависит от величины коллекторного тока. [27]
Восполнение потерь энергии колебательного контура осуществляется при помощи транзистора Т, величина коллекторного тока которого регулируется напряжением, подаваемым на базу от катушки обратной связи LO. [28]
 |
Схема рефлексного приемника на двух транзисторах. [29] |
При налаживании приемника необходимо путем подбора сопро-тивлений Ri и Кз установить величины коллекторных токов транзисторов Ti и Тг. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5